[发明专利]石墨烯纳米带复合结构及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其包括以下步骤：

提供一衬底，该衬底包括多个间隔设置的凸起；

在一生长基底上生长石墨烯膜；

将一粘胶层设置在所述石墨烯膜远离生长基底的表面；

去除所述生长基底，并利用水或有机溶剂清洗；

将所述衬底与所述石墨烯膜、所述粘胶层复合，并干燥，得到一第一复合结构，该第一复合结构包括所述衬底、所述石墨烯膜和所述粘胶层，所述石墨烯膜位于所述粘胶层与所述衬底之间；

去除所述粘胶层，得到一第二复合结构，该第二复合结构包括所述衬底和所述石墨烯膜，所述石墨烯膜位于所述衬底上，并且所述石墨烯膜在每一凸起附近形成一褶皱；以及

从所述石墨烯膜远离衬底的表面进行刻蚀，将除褶皱以外的石墨烯膜去除，得到石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括多个间隔设置的石墨烯纳米带。

2.如权利要求1所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，所述衬底的制备方法包括以下步骤：

在一基底上设置一掩膜层，该掩膜层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面与所述基底接触，所述掩膜层具有多个间隔设置的通孔；

在所述第二表面设置一金属层，并且该金属层填充所述通孔；

剥离所述掩膜层，掩膜层第二表面上的金属层也同时被去除，通孔内的金属层依然保留在所述基底上；

将保留在所述基底上的金属层作为掩膜，对所述基底进行刻蚀；以及

去除保留在所述基底上的金属层，得到所述衬底。

3.如权利要求2所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，在所述基底的表面上设定一X方向和一Y方向，X方向与Y方向相互垂直，所述褶皱位于相邻凸起之间的衬底本体表面上且沿Y方向延伸。

4.如权利要求1所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，所述褶皱处的石墨烯膜的厚度大于相邻凸起之间的衬底本体表面的石墨烯膜的厚度。

5.如权利要求1所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，将所述衬底与所述石墨烯膜、所述粘胶层复合之后，干燥之前，所述石墨烯膜与所述衬底之间具有水或有机溶剂，随着水或有机溶剂的蒸发，所述石墨烯膜与所述衬底之间形成真空状态，由于所述衬底具有多个凸起，所述石墨烯膜无法与所述衬底平整地贴合，从而在每一凸起附近形成褶皱。

6.如权利要求1所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，将所述衬底与所述石墨烯膜、所述粘胶层复合包括一利用所述衬底将所述石墨烯膜和所述粘胶层从所述水或有机溶液中取出的步骤。

7.一种石墨烯纳米带复合结构的制备方法，包括以下步骤：

提供一衬底，该衬底包括一衬底本体和多个间隔设置的凸起，该凸起设置在所述衬底本体的表面；

在水或者有机溶剂的环境中将一石墨烯膜设置在所述衬底的表面，并且所述凸起位于石墨烯膜与衬底本体之间，以至于衬底与石墨烯膜之间有水或者有机溶剂的存在，然后干燥，使石墨烯膜在每一凸起附近形成褶皱；以及

从所述石墨烯膜远离衬底的表面进行刻蚀，将除褶皱以外的石墨烯膜去除，得到石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括多个间隔设置的石墨烯纳米带。

8.如权利要求7所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，在水或者有机溶剂的环境中将一石墨烯膜设置在所述衬底的表面包括一在所述衬底的表面滴加水或者有机溶剂后，再将一石墨烯膜设置在所述衬底表面的步骤。

9.一种石墨烯纳米带复合结构，其包括一衬底和多个石墨烯纳米带，其特征在于，所述衬底包括一衬底本体和多个凸起，该多个凸起间隔设置在所述衬底本体的表面，该多个石墨烯纳米带间隔设置在所述衬底本体上并且沿同一方向延伸。

10.如权利要求9所述的石墨烯纳米带复合结构，其特征在于，每一个石墨烯纳米带位于相邻两个凸起之间。