[发明专利]发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列有效
| 申请号： | 202011450285.0 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112582506B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 韦冬;李庆;于波;赵柯 | 申请（专利权）人： | 苏州芯聚半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/48 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 常伟 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 衬底 剥离 方法 阵列 | ||
1.一种发光二极管衬底的剥离方法，其特征在于，所述剥离方法包括：
提供衬底，在所述衬底生长牺牲层，在所述牺牲层的表面生长发光二极管器件；
提供辅助基板；
涂布键合胶至所述辅助基板的周边或者所述衬底的周边；
于氮气腔室中，键合所述衬底和所述辅助基板，使得所述衬底、所述辅助基板以及所述键合胶共同限定出的密闭空间内充满氮气；以及
激光照射并穿过所述衬底，使所述牺牲层热解，所述衬底和所述发光二极管器件分离；
其中，所述密闭空间内的氮气的气压大于外界环境中的大气压。
2.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，键合所述衬底和所述辅助基板后，所述键合胶粘合所述牺牲层的表面和所述辅助基板的表面形成所述密闭空间，所述发光二极管器件位于所述密闭空间内。
3.根据权利要求2所述的剥离方法，其特征在于，当所述衬底和所述发光二极管器件分离后，激光照射所述辅助基板上的所述键合胶，所述键合胶从所述辅助基板的表面上移除。
4.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
5.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述牺牲层包括氮化系半导体层。
6.根据权利要求5所述的剥离方法，其特征在于，所述氮化系半导体层包括氮化镓层或氮化铝层。
7.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述辅助基板为TFT基板或者印刷电路板。
8.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述发光二极管器件包括电极端子，对应于所述电极端子，所述辅助基板上设置接收端子，所述电极端子和所述接收端子电性导通。
9.一种发光二极管阵列，其包括多个发光二极管器件，其特征在于，所述多个发光二极管器件为通过如权利要求1-8中任意一项所述的剥离方法，从所述衬底上剥离获得。
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