[发明专利]显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 202011450429.2 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112397565B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 张淑媛 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;G09G3/3225
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杜蕾
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 显示装置
【说明书】:

发明公开了一种显示面板及显示装置,所述显示面板包括:衬底基板、第一半导体层、第一栅极层、第一金属层、第二半导体层、第二栅极层、第二金属层、第三金属层及阳极层;其中,所述第一半导体层为多晶硅半导体层,所述第二半导体层为氧化物半导体层。本发明利用氧化物半导体具有稳定的低漏电流的性质,采用所述氧化物半导体制备像素驱动电路中至少一个晶体管,使所述像素驱动电路的整体输出更加稳定。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是有机发光二极管显示图像的自发光显示装置,与液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)不同,有机发光二极管显示器不需要单独的光源,并具有较小的厚度及重量,此外由于有机发光二极管显示器呈现出高质量特性,例如低功耗,高亮度,短响应时间,它作为便携式电子显示器的下一代显示装置而引人关注。

相关技术中,常规的有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/OrganicLight Emitting Diode,AMOLED)中的薄膜晶体管仅采用低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon,LTPS),多晶硅类薄膜晶体管具有高迁移率。

该技术缺陷:多晶硅类的薄膜晶体管器件的漏电流较大,造成LTPS类的AMOLED显示器在较低的刷新频率情况下显示效果较差,同时在高频情况下数据源可能造成错冲的影响。

综上所述,现有技术中显示面板由于低温多晶硅薄膜晶体管存在漏电流较大,造成低刷新频率下显示效果较差、高刷新频率下数据源容易发生错冲等技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板以及显示装置,用于使所述显示面板具有更稳定的显示效果。

为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种显示面板,其中,包括:

衬底基板;

第一半导体层,设置于所述衬底基板上方;

第一栅极层,设置于所述第一半导体层上方;

第一金属层,设置于所述第一栅极层上方;

第二半导体层,设置于所述第一金属层上方;

第二栅极层;设置于所述第二半导体层上方;

第二金属层,设置于所述第二栅极层上方且与所述第一半导体层、所述第二半导体层电连接;

第三金属层,设置于所述第二金属层上方且与所述第二金属层电连接;及

阳极层,设置于所述第三金属层上方且与所述第三金属层电连接;

其中,所述第一半导体层为多晶硅半导体层,所述第二半导体层为氧化物半导体层。

在本发明的一些实施例中,所述第一半导体层与所述第一栅极层构成至少一个多晶硅薄膜晶体管,所述第一金属层包括底栅电极,所述底栅电极、所述第二半导体层与所述第二栅极层构成至少一个氧化物薄膜晶体管;其中,所述底栅电极为各所述氧化物薄膜晶体管的底栅。

在本发明的一些实施例中,所述第一金属层包括电容电极,所述电容电极和所述第一栅极层构成存储电容。

在本发明的一些实施例中,所述第二金属层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二半导体层在所述衬底基板上的正投影。

在本发明的一些实施例中,包括至少一个像素驱动电路,所述像素驱动电路包括多个阵列分布的像素单元,每个所述像素单元包括电性连接的发光器件、存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管;

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