[发明专利]一种PERC电池背面钝化工艺有效
申请号: | 202011450501.1 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112652677B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 孙长红;杨文豹;秦积海;贾慧君 | 申请(专利权)人: | 晋能光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 赵徐平 |
地址: | 030600 山西省晋中市山西综改*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 背面 钝化 工艺 | ||
1.一种PERC电池背面钝化工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将预处理后的硅片背面朝上放在载板上,然后放进ALD设备的进料腔中并抽真空到3-5mbar;
(2)将步骤(1)的载板传送至预热腔加热至120-140℃,预热20-30min完毕;
(3)调节ALD设备的工艺腔温度至240-260℃,并将预热完毕后的载板传送至工艺腔内并控制铝源和水源的流量及比例来进行背面钝化处理;
其中,步骤(3)重复两次;其中,控制铝源的流量为240-280sccm,水源的流量为300-400sccm,控制水源和铝源的比例为(3-4):1。
2.根据权利要求1所述的一种PERC电池背面钝化工艺,其特征在于,步骤(1)中,所述预处理的步骤为:
11)将单晶硅片制绒,制绒后其反射率控制在9-12;
12)制绒完毕后进行扩散,扩散后其正面方阻控制在100-150Ω/□;
13)采用SE激光推进,推进后其正面方阻控制在70-80Ω/□;
14)刻蚀,刻蚀后其反射率控制在26-30;
15)刻蚀后进行热氧氧化,完成预处理。
3.根据权利要求2所述的一种PERC电池背面钝化工艺,其特征在于,步骤11)所述反射率控制在10-11;步骤12)所述正面方阻控制在110-140Ω/□;步骤13)所述正面方阻控制在75Ω/□。
4.根据权利要求1所述的一种PERC电池背面钝化工艺,其特征在于,步骤(3)中的具体操作为:
31)调节ALD设备中工艺腔的温度至240-260℃,并将预热完毕后的载板传送至工艺腔Ⅰ内摇摆载板上,并控制铝源的流量为240-280sccm及水源的流量为300-400sccm;
32)再传送至工艺腔Ⅱ内摇摆载板上,并控制铝源的流量为240-280sccm及水源的流量为300-400sccm。
5.根据权利要求1所述的一种PERC电池背面钝化工艺,其特征在于,还包括步骤(4),具体为:将钝化处理后的载板传送至出料腔中,其中出料腔内压力为1013.25mbar,将载板送出并收集硅片。
6.根据权利要求5所述的一种PERC电池背面钝化工艺,其特征在于,所述出料腔中的压力为3-5mbar。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的