[发明专利]一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法有效
| 申请号： | 202011450538.4 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112760614B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 王菲;聂文君;张伟;王路路;贾慧君;李文敏 | 申请（专利权）人： | 晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/505;C23C16/02;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 孙光远 |
| 地址： | 033000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 pecvd 镀膜 均匀 优化 方法 | ||
1.一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法，其特征在于，由以下步骤组成：
(1)预沉积：采用PECVD镀膜设备，在一定的温度、压力和功率下，通入NH3 气体，经沉积得镀膜A；
(2)沉积SiNx膜：在一定的温度、压力和功率下，分别向镀膜A通入SiH4 和NH3 气体，经沉积得镀膜B；
(3)再次沉积SiNx膜：在一定的温度、压力和功率下，分别向镀膜B通入SiH4 和NH3 气体，经沉积得多晶PECVD镀膜；
步骤(1)中，所述NH3 气体流量为3000～5000sccm/min，所述沉积时间为10～20s，所述镀膜A厚度为1～5nm；
步骤(2)中，所述SiH4气体流量为800～1000sccm/min，所述NH3 气体流量为3000～5000sccm/min，气体总流量为3800-6000sccm/min，所述镀膜B厚度为5～20nm；其中NH3 和SiH4 气体体积比为4.4：1；所述沉积时间为100～200s；
步骤(3)中，所述SiH4 气体流量为300～700sccm/min，所述NH3 气体流量为3500～7000sccm/min，气体总流量为3800～7700sccm/min，所述多晶PECVD镀膜厚度为75～85nm；其中，NH3 和SiH4 气体体积比为9：1；沉积时间为400-500s；
步骤(1)～(3)所述功率均为5000～8000W，温度均为450～480℃。
2.如权利要求1所述的多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法，其特征在于，步骤(1)和(2)所述压力均为1300～1500mTorr。
3.如权利要求2所述的多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法，其特征在于，步骤(3)所述压力为1500～1800mTorr。
4.如权利要求1～3任一所述的多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法，其特征在于，步骤(1)和(2)所述PECVD镀膜设备的射频脉冲开关比均为50：650。
5.如权利要求1～3任一所述的多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法，其特征在于，步骤(3)所述PECVD镀膜设备的射频脉冲开关比为55：650。
6.权利要求1～5任一所述方法制备得到的多晶PECVD镀膜材料。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
