[发明专利]一种多晶变温沉积扩散的方法及其应用

权利要求书

1.一种多晶变温沉积扩散的方法，其特征在于，在过量氧气的条件下，以液态三氯氧磷作为扩散磷源，采用背靠背扩散方式进行变温沉积扩散；

所述多晶变温沉积扩散的方法具体步骤如下:

S1、进舟：装载制绒后硅片的石英舟进管后，炉管以10℃/min的升温速率，升温至770-790℃，抽真空至40-60mbar；

S2、恒温沉积：通源，同时通入400-600sccm氧气和400-600sccm炉门氮，并通入携源氮和补充氮，恒温沉积6-8min；

S3、升温沉积：继续保持S2的状态，炉管以10℃/min的升温速率，升温至840-850℃，进行升温沉积4-6min；

S4推进：升温沉积完成并回压后进行推进；

S5出舟：冷却并抽真空后，将沉积后硅片的石英舟出管，完成多晶变温沉积扩散。

2.根据权利要求1所述的一种多晶变温沉积扩散的方法，其特征在于，在步骤S1中，在石英舟进管时，且在温度为710-730℃的条件下，同时通入2400-2600sccm炉门氮和4-6slm大氮；

在抽真空时，同时通入2400-2600sccm炉门氮和1-3slm大氮。

3.根据权利要求1所述的一种多晶变温沉积扩散的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述携源氮与所述补充氮的体积流量之和为350sccm。

4.根据权利要求1所述的一种多晶变温沉积扩散的方法，其特征在于，在步骤S3中，所述携源氮与所述补充氮的体积流量之和为350sccm。

5.根据权利要求1所述的一种多晶变温沉积扩散的方法，其特征在于，在步骤S4中，所述升温沉积完成后在温度为840-850℃的条件下，同时通入4-6slm大氧、2400-2600sccm炉门氮、2-3slm大氮和170-190sccm携源氮，回压1-3min，再推进7-9min。

6.根据权利要求1所述的一种多晶变温沉积扩散的方法，其特征在于，

在步骤S5中，在冷却并抽真空时，将温度以4℃/min的降温速率降至为780-790℃，并同时通入2400-2600sccm炉门氮、0.5-1.5slm大氮和1-3slm大氧；在石英舟出管时，将温度以4℃/min的降温速率降至为710-730℃，同时通入2400-2600sccm炉门氮和4-6slm大氮。

7.一种多晶变温沉积扩散的方法的应用，其特征在于，权利要求1-6任一项所述的多晶变温沉积扩散的方法在制备多晶太阳电池片中的应用。

8.一种多晶太阳电池片的制备方法，包括：制绒、扩散、湿法刻蚀、PE镀膜、丝网印刷、烧结和测试分选过程，其特征在于，具体步骤如下：

(1)、将硅片表面有机物、金属杂质和损伤层去除，并且对硅片表面织构化处理，制备反射率在24％-26％的绒面；

绒面上，在过量氧气的条件下，以液态三氯氧磷作为扩散磷源，采用权利要求1-6任一项所述的多晶变温沉积扩散的方法，扩散形成PN结，扩散后方阻控制在115-125Ohm/sq；

(2)、通过刻蚀去除在扩散过程中硅片边缘及背面形成的N型层，同时去除硅片正面的磷硅玻璃，并采用镀减反射膜，钝化硅片表面；

其中，减反射膜膜厚控制在72-88nm，折射率控制在2.035-2.135；

(3)、通过丝网印刷将含有金属的导电浆料透过丝网网孔形成金属栅线，保持湿重在70-75mg，经过高温烧结和测试分选过程，得到多晶太阳电池片。

9.一种多晶太阳电池片，其特征在于，所述多晶太阳电池片由权利要求8所述的制备方法制备而成。