[发明专利]OLED显示面板及其制备方法

说明书

本发明提供了一种OLED显示面板及其制备方法，制备方法包括步骤：提供一阵列驱动背板，包括第一显示区与第二显示区；在阵列驱动背板上形成第一形变层，第一形变层对应地形成于第二显示区中的非像素区域；在阵列驱动背板与第一形变层上形成第一膜层，其中，在形成第一膜层的过程中，还包括如下步骤：使用第一光照照射第一形变层，第一形变层体积膨胀，得到第二形变层，第二形变层在阵列驱动背板上的正投影与第二显示区的像素区域存在重合，使用第二光照照射第二形变层，第二形变层体积缩小；对第一膜层进行图案化工艺，形成阳极层；在阳极层上形成有机发光功能层、阴极层及封装层。即可使得第二显示区的阳极层厚度减薄，以满足此区域的透光需求。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED显示面板及其制备方法。

背景技术

随着显示技术的日益发展，全面屏手机凭借其超高的屏占比和极好的用户体验感，成为时下最热门的技术之一。为满足面板全面屏技术兼容屏下装置(如摄像头等)的需求，需要将如摄像头等装置放置在面板的下方，这些屏 下装置对应的面板区域定义为屏下装置区，为了同时满足屏 下装置区的正常显示以及屏下装置的正常工作，屏 下装置区需同时满足显示和透光的需求，因此通常将屏 下装置区设计为半透明的半显示区域，即在该区域内显示面板的公共电极层需要达到一定的透光率。

目前，通常将顶发光OLED显示面板应用于全面屏显示技术中，其结构由下至上包括衬底基板、阳极层、有机层、以及阴极层，封装层，其中，阳极层通常为氧化铟锡/银/氧化铟锡的叠层膜层构成，透光率极低，需将屏下装置区的阳极层的膜层减薄才可满足屏下装置的感光需求，使其正常工作。然后，在现有的制备工艺中，阳极层通常由物理气相沉积工艺整面溅射形成，无法实现屏 下装置区的阳极层的厚度小于正常显示区的阳极层的厚度，即，无法满足屏 下装置区的透光需求，对全面屏显示的实现造成阻碍。

发明内容

本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法，通过特殊设计的制备工艺，可解决因屏 下装置区公共电极厚度过厚导致无法满足屏 下装置区的透光需求的问题。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种OLED显示面板的制备方法，包括以下步骤：

S10:提供一阵列驱动背板，所述阵列驱动背板包括第一显示区与第二显示区；

S20:在所述阵列驱动背板上形成第一形变层，所述第一形变层对应地形成于所述第二显示区中的非像素区域；

S30:在所述阵列驱动背板与所述第一形变层上形成第一膜层，其中，在形成所述第一膜层的过程中，还包括如下步骤：

S301a：使用第一光照照射所述第一形变层，所述第一形变层体积膨胀，得到第二形变层，所述第二形变层在所述阵列驱动背板上的正投影与所述第二显示区的像素区域存在重合，

S301b：使用第二光照照射所述第二形变层，所述第二形变层体积缩小，得到第三形变层，所述第三形变层在所述阵列驱动背板上的正投影完全落入所述第二显示区的非像素区域；

S40:对所述第一膜层进行图案化工艺，形成阳极层；

S50:在所述阳极层上形成有机发光功能层；

S60:在所述有机发光功能层上形成阴极层；以及

S70:在所述阴极层上形成封装层。

进一步地，在开始形成所述第一膜层之前或在所述第一膜层形成的过程中，使用第一光照照射所述第一形变层；以及在所述第一膜层形成的过程中或所述第一膜层形成完成后，使用第二光照照射所述第二形变层。

进一步地，所述第一形变层的材料为含有偶氮苯基的化合物。

进一步地，所述第一形变层在在所述阵列驱动背板上的正投影呈网格型。