[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202011450778.4 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN112582456A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 张乐 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本揭示提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括阵列基板以及触控层,其中触控层包括第一金属层、第一绝缘层以及触控电极层,第一金属层包括多个连接桥和第一电极层,触控电极层包括多个驱动电极层和感应电极层,感应电极层通过第一过孔结构与连接桥电连接。从而使得显示面板的触控层的触控电极与薄膜晶体管的源极或漏极形成并联的结构,进而简化了显示面板的结构,优化了显示面板内部的线路设计,并降低了各信号线之间的阻抗值,提高了显示面板的显示质量及效果。
技术领域
本揭示涉及显示面板显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断提高,显示装置已被广泛地应用于各种电子设备中,显示装置的显示质量以及显示效果也不断的提高。
其中,有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emittingdiode,AMOLED)显示面板因其具有独特的优势,而得到快速的发展。AMOLED显示面板所搭配的阵列基板,主流为低温多晶硅(low temperature poly silicon,LTPS)型阵列基板。在制备LTPS阵列基板的过程中,难以确保所形成的大面积的多晶硅半导体的均一性,由于相互之间存在差异,最终造成薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)的阈值电压出现漂移等问题。而为了改善上述问题,现有技术中通常在阵列基板的亚像素驱动电路中设计像素补偿电路,通过像素补偿电路来抵消阈值电压漂移对显示面板带来的影响。其中,现主流的像素补偿电路为7T1C补偿电路。但是,对于触控型的显示面板而言,由于考虑到触控面板的厚度以及成本,显示面板内的数据线及相连接的金属引线设计的尤其密集,这些密集的数据线容易造成与相邻的膜层,以及数据线与数据线之间短路的问题。此外,增加的像素补偿电路还提高了薄膜晶体管的源/漏极对应的信号线的阻抗,使得信号在传递时出现衰减,造成画面显示不均,显示面板的显示质量不理想等问题。
综上所述,现有的显示面板中,显示面板内部的器件结构以及线路设计较复杂,线路排布密集,各线路容易与相邻的膜层以及线路之间出现短路,以及薄膜晶体管的源/漏极对应的信号线的阻抗较大,生产工艺复杂,同时显示面板的显示质量不理想等问题。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及显示装置,以解决现有技术中,在制备显示面板时,显示面板内部线路排布密集以及薄膜晶体管对应的信号线的阻抗较大,显示面板显示质量不理想、生产工艺较复杂等问题。。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,以简化显示装置的制备工艺流程,并提高红外感光显示装置的红外探测性能,降低显示装置的生产制造成本。
为解决上述技术问题,本揭示实施例提供的技术方法如下:
本揭示实施例的第一方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括:
阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管;
缓冲层,所述缓冲层设置在所述阵列基板上;以及
触控层,所述触控层设置在所述缓冲层上;
其中,所述触控层包括:
第一金属层,所述第一金属层设置在所述缓冲层上,所述第一金属层包括多个连接桥和第一电极层,且所述第一电极层与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述连接桥和所述第一电极层上;
触控电极层,所述触控电极层包括多个驱动电极层和感应电极层,所述驱动电极层和所述感应电极层阵列设置在所述第一绝缘层上,且所述感应电极层通过第一过孔结构与所述连接桥电连接;以及
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述触控电极层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的