[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202011451010.9 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112563195A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孟凡顺;陈耀祖;陈忠奎;易芳;舒思桅 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有金属层；
在所述金属层上形成图案化光刻胶层；
通入碳氢化合物气体，并使所述碳氢气体与所述图案化光刻胶层反应，以在所述图案化光刻胶层表面形成一钝化层；
以图案化光刻胶层和所述钝化层为掩模，刻蚀所述金属层，以形成金属线。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通入的所碳氢化合物气体的气体流量范围为：5sccm-20sccm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通入所述碳氢化合物气体的时间范围为：30s-180s。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述金属层，其中，采用的刻蚀气体包括：：Cl2和/或BCl3。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属层的材质包括铝。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述金属层之前，先于所述衬底的表面上依次形成层间介质层和第一金属扩散阻挡层。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述层间介质层的材质包括二氧化硅，第一金属扩散阻挡层的材质包括钛或氮化钛。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述金属层上形成图案化光刻胶层之前，先于所述金属层的表面上依次形成第二金属扩散阻挡层和底部抗反射层。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二金属扩散阻挡层的材质包括钛或氮化钛；所述底部抗反射层的材质包括氮氧化硅。
10.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在以图案化光刻胶层和所述钝化层为掩模，刻蚀所述金属层之前，所述半导体器件的制备方法还包括：以所述图案化光刻胶层和所述钝化层为掩模，依次刻蚀所述底部抗反射层以及第二金属扩散阻挡层。
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