[发明专利]输出级电路和AB类放大器在审
申请号: | 202011451032.5 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN114629456A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 许晶;于翔 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/24 | 分类号: | H03F3/24;H03F3/213 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;王月玲 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 电路 ab 放大器 | ||
1.一种输出级电路,包括:
输出端电路,其包括串联在供电端与地之间的第一晶体管和第二晶体管,且所述第一晶体管和所述第二晶体管的中间节点用于提供输出电压;
补偿电路,具有连接所述第一晶体管的第一输出端和连接所述第二晶体管的第二输出端,用于对所述输出端电路提供进行高频极点补偿后的控制信号;
电压偏置电路,用于根据第一偏置电压和第二偏置电压对所述补偿电路的电压产生偏置。
2.根据权利要求1所述的输出级电路,其中,所述补偿电路包括:
串联连接在供电端与所述电压偏置电路之间的第一电阻和第一电容;
串联连接在供电端与所述补偿电路的第一输出端之间的第二电容;
第一缓冲器,该第一缓冲器的输入端连接在所述第一电容与所述电压偏置电路的连接节点,输出端作为所述补偿电路的第一输出端,连接所述第一晶体管的控制端。
3.根据权利要求2所述的输出级电路,其中,所述补偿电路还包括:
串联连接在所述电压偏置电路与地之间的第三电容和第二电阻;
串联连接在所述补偿电路的第二输出端与地之间的第四电容;
第二缓冲器,该第二缓冲器的输入端连接在所述第三电容与所述电压偏置电路的连接节点,输出端作为所述补偿电路的第二输出端,连接所述第二晶体管的控制端。
4.根据权利要求3所述的输出级电路,其中,所述电压偏置电路包括:
第三晶体管,连接在所述第一电容与所述第三电容之间,控制端接入所述第一偏置电压,且该第三晶体管与第一电容的连接节点作为所述第一缓冲器的输入端,该第三晶体管与第三电容的连接节点作为所述第二缓冲器的输入端;
第四晶体管,并联连接在所述第三晶体管两端,控制端接入所述第二偏置电压。
5.根据权利要求4所述的输出级电路,其中,所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号,
所述第一晶体管的第一端连接在供电端,第二端与所述第二晶体管的第一端连接,控制端与所述补偿电路的第一输出端连接,用以接入所述第一控制信号,所述第二晶体管的第二端接地,控制端与所述补偿电路的第二输出端连接,用以接入所述第二控制信号。
6.根据权利要求5所述的输出级电路,其中,还包括:
输出电容,连接在所述第一晶体管和第二晶体管的连接节点与地之间。
7.根据权利要求6所述的输出级电路,其中,还包括:
偏置电压产生电路,用以提供所述第一偏置电压和所述第二偏置电压。
8.根据权利要求4所述的输出级电路,其中,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的其中任一为金属氧化物半导体场效应晶体管。
9.根据权利要求8所述的输出级电路,其中,所述第一晶体管和第三晶体管均为P型金属氧化物半导体场效应晶体管,且所述第二晶体管和第四晶体管均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。
10.一种AB类放大器,其中,包括权利要求1-9任一项所述的输出级电路。
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