[发明专利]运算放大器

权利要求书

1.一种运算放大器，包括：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的第一端与所述第二晶体管的第一端共同连接在所述运算放大器的电源端，且所述第一晶体管的控制端与所述第二晶体管的控制端共同连接在所述第一晶体管的第二端；

第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的第一端与所述第一晶体管的第二端连接，控制端作为同相输入端接入正输入信号，所述第四晶体管的第一端与所述第二晶体管的第二端连接，控制端作为反相输入端接入负输入信号；

控制单元，根据所述正输入信号生成第一控制信号，以及根据所述负输入信号生成第二控制信号；

调节单元，所述调节单元包括：

串联连接在所述第三晶体管的第二端与所述第四晶体管的第二端之间的第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的控制端接入所述第一控制信号，所述第六晶体管的控制端接入所述第二控制信号，且所述第五晶体管与所述第三晶体管的连接节点为第一节点，所述第五晶体管和第六晶体管的连接节点为第二节点，所述第六晶体管与所述第四晶体管的连接节点为第三节点；

第一电流源，连接在所述第一节点与地之间，用于提供第一电流；

第二电流源，连接在所述第二节点与地之间，用于提供第二电流；

第三电流源，连接在所述第三节点与地之间，用于提供第三电流，

所述调节单元受所述第一控制信号和第二控制信号的控制，根据所述正输入信号和所述负输入信号之间的压差选择其自身的导通/关断状态。

2.根据权利要求1所述的运算放大器，其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管的其中任一为金属氧化物半导体场效应晶体管。

3.根据权利要求2所述的运算放大器，其中，所述第一晶体管和第二晶体管均为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，

且所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

4.根据权利要求3所述的运算放大器，其中，所述第五晶体管与所述第六晶体管均为高耐压的N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

5.根据权利要求4所述的运算放大器，其中，响应于所述正负输入信号的电压差值大于所述第三晶体管或第四晶体管的耐压值，所述第五晶体管和所述第六晶体管均处于导通状态。

6.根据权利要求5所述的运算放大器，其中，所述第一控制信号在数值上等于所述正输入信号与一预设电压的和值，以及所述第二控制信号在数值上等于所述负输入信号与所述预设电压的和值，

且所述预设电压可调。