[发明专利]发光二极管及背光单元

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

电路基板；

至少一个发光二极管芯片，布置在所述电路基板上；

反射部件，覆盖所述发光二极管芯片的顶面；以及

透光性树脂，形成为在所述电路基板上包围所述发光二极管芯片以及反射部件，

所述发光二极管芯片包括：

基板；

发光构造体，布置在所述基板下方；

透明电极层，布置在所述发光构造体底面；

第一电极板，与所述发光构造体的第一导电型半导体层电连接；

第二电极板，与所述发光构造体的第二导电型半导体层电连接；以及

反射层，覆盖所述发光构造体下方的至少一部分，

所述反射部件由分布式布拉格反射器、金属或它们的组合形成。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述电路基板选自由印刷电路板、金属印刷电路板以及柔性印刷电路板所组成的组。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述透光性树脂为透明环氧树脂或透明硅树脂。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

所述透光性树脂以四边形形状包围所述发光二极管芯片周边。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

所述透光性树脂以圆形形状包围所述发光二极管芯片周边。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述基板为透明基板且表面被图案化。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述透明电极层布置在所述第二导电型半导体层底面。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，

所述透明电极层为ITO或ZnO。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述反射层由单层或多层分布式布拉格反射器构成。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述反射层包括绝缘层以及被绝缘层包围的金属层。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述反射部件由分布式布拉格反射器构成，

所述分布式布拉格反射器为选自由SiO₂、TiO₂、SiN和TiN所组成的组中的至少两个层叠的多层结构。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述反射部件由金属构成，

所述金属为Ag或Al。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述发光二极管还包括：

堤坝，在所述电路基板上布置为与所述发光二极管芯片隔开而包围所述发光二极管芯片。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，

所述堤坝由从所述发光二极管芯片发出的光不透过的材质形成。

15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，

所述堤坝包含硅树脂。

16.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，

所述堤坝与未形成有堤坝的情况相比光束扩散角特性相似。

17.一种背光单元，包括：

权利要求1所述的发光二极管；以及

光学部件，布置在所述发光二极管上方。