[发明专利]一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法

权利要求书

1.一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，包括：压力夹具，施压装置，压力传感器，压力均衡装置，第一环氧树脂板，第二环氧树脂板，压接型IGBT芯片，加热板，碟簧，叠层母排，母线电容，负载电感，续流二极管，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置；

所述母线电容的一端与所述直流电压源的正极连接，所述母线电容的另一端与所述直流电压源的负极连接；所述叠层母排的一端连接所述直流电压源的正极，所述叠层母排的另一端连接所述续流二极管的阴极；所述续流二极管的阳极连接所述压接型IGBT芯片的发射极；所述负载电感的一端连接所述续流二极管的阳极，所述负载电感的另一端连接所述续流二极管的阴极；所述驱动脉冲生成器的正极连接所述压接型IGBT芯片的栅极，所述驱动脉冲生成器的负极连接所述压接型IGBT芯片的发射极；所述压接型IGBT芯片的发射极连接直流电压源的负极；所述电流测量装置的电流探头套装在所述压接型IGBT芯片上；所述电压测量装置的正极电压探头连接压接型IGBT芯片的集电极极板，所述电压测量装置的负极电压探头连接所述压接型IGBT芯片的发射极极板；

所述第一环氧树脂板叠放于碟簧之上；所述加热板叠放于第一环氧树脂板上；所述压接型IGBT芯片叠放于加热板上；所述第二环氧树脂板叠放于压接型IGBT芯片上；所述压力均衡装置叠放于第二环氧树脂板上；所述压力传感器叠放于压力均衡装置上；所述施压装置叠放于压力传感器上；所述压力夹具用于固定所述碟簧、第一环氧树脂板、加热板、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器和施压装置所组成的叠层结构；

所述电流测量装置的电流探头采用罗氏线圈，套装在所述压接型IGBT芯片发射极极板和集电极极板之间，罗氏线圈利用电磁感应定理测出流过线圈中间的电流，是感应式的。

2.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述叠层母排的寄生电感为45.60纳亨。

3.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述压力均衡装置包括第一带槽钢板、第二带槽钢板和钢珠，所述钢珠位于第一带槽钢板和第二带槽钢板之间，所述第一带槽钢板和第二带槽钢板中心有圆形凹槽，用于盛放所述钢珠，所述第一带槽钢板与第二带槽钢板不接触。

4.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述压力夹具包括多个固定柱、第一开孔钢板、第二开孔钢板，所述多个固定柱的上端穿过所述第一开孔钢板，下端穿过所述第二开孔钢板，所述多个固定柱、第一开孔钢板、第二开孔钢板通过螺栓固定。

5.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述施压装置包括第一开孔钢板中央的带螺纹通孔、螺纹通孔中间旋入的粗螺丝和施压底座构成；其中的粗螺丝是能够旋转从而上下移动，给其下方的串联结构施加压力。

6.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述电流测量装置的电流探头采用罗氏线圈，套装在所述压接型IGBT芯片上。

7.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述电压测量装置的电压探头与所述压接型IGBT芯片采用四端子接线法连接。

8.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述第一环氧树脂板和第二环氧树脂板厚度为3mm。