[发明专利]芯片键合方法

权利要求书

1.一种芯片键合方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆及目标晶圆，所述器件晶圆的正面形成有第一混合键合结构；

在所述器件晶圆的正面涂布键合胶并临时键合载片晶圆；

在所述器件晶圆的背面形成背连线结构，所述背连线结构与所述器件晶圆中的互连结构电连接；

在所述器件晶圆的背面贴附粘性膜，将所述器件晶圆与所述载片晶圆解键合并保留所述键合胶；

从所述器件晶圆的正面对所述器件晶圆进行划片以形成多个单个芯片；以及，

去除所述键合胶，并提供目标晶圆，所述目标晶圆的表面形成有第二混合键合结构，利用所述第一混合键合结构及所述第二混合键合结构将合格芯片的正面键合至所述目标晶圆上。

2.如权利要求1所述的芯片键合方法，其特征在于，在所述器件晶圆的背面形成所述背连线结构之后，在所述器件晶圆的背面贴附所述粘性膜之前，还包括：

对所述器件晶圆中的每个芯片进行测试，以标记出合格芯片。

3.如权利要求1所述的芯片键合方法，其特征在于，所述背连线结构包括硅通孔及焊垫。

4.如权利要求1所述的芯片键合方法，其特征在于，所述器件晶圆包括衬底及位于所述衬底上的介质层，所述器件晶圆的互连结构形成于所述介质层中，从所述器件晶圆的正面对所述器件晶圆进行划片以形成单个芯片的步骤包括：

利用砂轮从所述器件晶圆的正面至少切割所述键合胶、所述第一混合键合结构及所述介质层，以形成横纵分布的切割道，所述切割道露出所述衬底的表面或延伸至所述衬底内，相邻的所述切割道定义出单个芯片；以及，

利用刻蚀工艺沿所述切割道向下刻蚀直至贯穿所述衬底，以将相邻的芯片完全分离。

5.如权利要求1或4所述的芯片键合方法，其特征在于，去除所述键合胶之后，还对所述粘性膜进行扩膜，以使相邻的芯片之间的间距增大。

6.如权利要求1所述的芯片键合方法，其特征在于，所述第一混合键合结构及所述第二混合键合结构均包括绝缘键合层及导电键合垫，所述导电键合垫位于所述绝缘键合层中，所述第一混合键合结构的导电键合垫与所述器件晶圆中的互连结构电连接，所述第二混合键合结构的导电键合垫与所述目标晶圆中的互连结构电连接。

7.如权利要求6所述的芯片键合方法，其特征在于，当利用所述第一混合键合结构及所述第二混合键合结构将合格芯片的正面键合至所述目标晶圆上时，所述第一混合键合结构及所述第二混合键合结构的绝缘键合层的位置对应且顶表面贴合，所述第一混合键合结构及所述第二混合键合结构的导电键合垫的位置对应且顶表面之间具有间隙。

8.如权利要求6所述的芯片键合方法，其特征在于，在去除所述键合胶之后，利用所述第一混合键合结构及所述第二混合键合结构将合格芯片的正面键合至所述目标晶圆上之前，还包括：

利用等离子体工艺激活所述第一混合键合结构和/或所述第二混合键合结构的绝缘键合层。

9.如权利要求6所述的芯片键合方法，其特征在于，所述第一混合键合结构的导电键合垫的材料包括铜，在所述器件晶圆的正面形成所述第一混合键合结构之后至在所述器件晶圆的正面涂布键合胶之前的间隔时间为第一等待时间，去除所述键合胶之后至利用所述第一混合键合结构及所述第二混合键合结构将合格芯片的正面键合至所述目标晶圆上之前的间隔时间为第二等待时间，所述第一等待时间与所述第二等待时间的总和小于或等于24小时。

10.如权利要求1所述的芯片键合方法，其特征在于，所述器件晶圆完成了再布线工艺但未执行铝垫工艺，所述目标晶圆完成了再布线工艺和/或铝垫工艺。