[发明专利]晶圆划片方法

权利要求书

1.一种晶圆划片方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，所述晶圆包括衬底、位于所述衬底上的介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；

执行第一次切割，沿所述晶圆的厚度方向切割所述介质层停在所述衬底靠近所述金属层的一侧表面，切割处形成第一沟槽；

在所述衬底远离所述金属层的一侧表面上形成混合键合结构；

执行第二次切割，沿所述晶圆的厚度方向至少切割所述混合键合结构停在所述衬底远离所述金属层的一侧表面，切割处形成第二沟槽；所述第二沟槽和所述第一沟槽在所述衬底上的投影相同；

形成位于所述混合键合结构上的图形化的光阻层，所述图形化的光阻层具有开口，所述开口与所述第二沟槽在所述衬底上的投影相同；

以所述图形化的光阻层为掩膜，贯穿被所述开口和所述第二沟槽暴露出的所述衬底，将所述第二沟槽与所述第一沟槽连通。

2.如权利要求1所述的晶圆划片方法，其特征在于，执行第一次切割之后，形成所述混合键合结构之前还包括：

将所述晶圆第一次切割的一侧与载片晶圆采用键合胶键合，所述键合胶填充所述第一沟槽。

3.如权利要求1所述的晶圆划片方法，其特征在于，形成所述混合键合结构之前还包括：

对所述衬底远离所述金属层的一侧表面进行减薄。

4.如权利要求3所述的晶圆划片方法，其特征在于，对所述衬底减薄之后，形成所述混合键合结构之前，包括：

形成绝缘层，所述绝缘层位于减薄后的所述衬底表面上；

形成硅通孔，所述硅通孔贯穿所述绝缘层、所述衬底和部分厚度的所述介质层暴露出所述金属层；

形成互连层，所述互连层填充所述硅通孔并与所述金属层电连接。

5.如权利要求4所述的晶圆划片方法，其特征在于，形成所述互连层之后，还包括：

形成再分布层，所述再分布层覆盖所述绝缘层和所述互连层，所述再分布层包括再分布介质层和嵌设于所述再分布介质层中的再分布金属层，所述再分布金属层与所述互连层电连接。

6.如权利要求4或5所述的晶圆划片方法，其特征在于，形成所述混合键合结构包括：

形成键合介质层，所述键合介质层覆盖所述绝缘层或所述再分布层；在所述键合介质层中开孔，并在所述开孔中填充键合金属层，所述键合金属层与所述互连层或所述再分布金属层电连接；所述键合介质层和所述键合金属层构成所述混合键合结构。

7.如权利要求1至6任意一项所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述第一次切割和所述第二次切割均采用激光切割或等离子体切割。

8.如权利要求1至6任意一项所述的晶圆划片方法，其特征在于，以所述图形化的光阻层为掩膜，贯穿被所述开口和所述第二沟槽暴露出的所述衬底，采用干法刻蚀的方式或者等离子体切割的方式。

9.如权利要求1至6任意一项所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述介质层中还嵌设有焊盘，所述焊盘与所述金属层电连接，所述介质层上形成有钝化层，所述钝化层暴露出所述焊盘。

10.如权利要求5所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述键合介质层和所述键合金属层的顶面作为混合键合界面。