[发明专利]一种阵列式表面拉曼增强基底及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列式表面拉曼增强基底的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

取一范德华层状半导体基底，浸泡于盐溶液或酸溶液中，然后用Zn针碰触范德华层状半导体基底表面1-5s，然后抬起Zn针，碰触点形成探测单元；然后移动至范德华层状半导体基底表面的另一位置，将Zn针碰触表面1-5s；重复上述Zn针的碰触表面、抬起、移动位置的操作，形成若干个阵列排列的探测单元；最后取出范德华层状半导体基底、吹干，制得阵列式表面拉曼增强基底；

所述盐溶液为物质的量浓度在0.5×10^-3M~1.5×10^-3M的CoSO₄溶液；

所述酸溶液为物质的量浓度在3×10^-3M~8×10^-3M的HCl溶液；

所述范德华层状半导体基底的厚度为10-100nm；

相邻所述探测单元的距离为5-200μm。

2.根据权利要求1所述的一种阵列式表面拉曼增强基底的制备方法，其特征在于：所述范德华层状半导体基底为MoO₃、石墨、MoS₂、MoSe₂、WS₂或WSe₂。

3.根据权利要求1所述的一种阵列式表面拉曼增强基底的制备方法，其特征在于：所述范德华层状半导体基底的厚度为30-60nm。

4.根据权利要求1所述的一种阵列式表面拉曼增强基底的制备方法，其特征在于：Zn针碰触范德华层状半导体基底表面的碰触时间为2-4s。

5.一种阵列式表面拉曼增强基底，其特征在于：由如权利要求1-4任一项所述的阵列式表面拉曼增强基底的制备方法制得。