[发明专利]压阻式压力芯片及制备方法在审

专利信息
申请号: 202011453275.2 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112880903A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 聂泳忠;李腾跃;吴桂珊 申请(专利权)人: 西人马联合测控(泉州)科技有限公司
主分类号: G01L9/06 分类号: G01L9/06;G01L19/14
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 娜拉
地址: 362000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 压阻式 压力 芯片 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种压阻式压力芯片,其特征在于,包括:

支撑部,具有通腔;

感应层,悬空于所述通腔且通过所述支撑部支撑;

压敏电阻组件,设置于所述感应层上且部分与所述通腔对应设置,所述压敏电阻组件用于根据所述感应层的形变产生电信号;

屏蔽层,设置于所述感应层上且沿所述感应层至所述支撑部方向至少部分覆盖所述压敏电阻组件。

2.根据权利要求1所述的压阻式压力芯片,其特征在于,所述压敏电阻组件包括引线和通过所述引线电连接的多个压敏电阻,多个压敏电阻与所述通腔对应设置,所述屏蔽层至少部分覆盖所述多个压敏电阻。

3.根据权利要求2所述的压阻式压力芯片,其特征在于,所述屏蔽层完全覆盖所述多个压敏电阻。

4.根据权利要求3所述的压阻式压力芯片,其特征在于,所述屏蔽层完全覆盖所述感应层。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的压阻式压力芯片,其特征在于,还包括钝化层,所述钝化层设于所述感应层与所述屏蔽层之间。

6.根据权利要求5所述的压阻式压力芯片,其特征在于,所述感应层具有相背的第一表面和第二表面,所述第二表面朝向所述支撑部,所述钝化层覆盖所述感应层的所述第一表面以及所述压敏电阻组件。

7.根据权利要求1所述的压阻式压力芯片,其特征在于,还包括至少一个的焊盘,至少一个的焊盘分别与所述压敏电阻组件电连接;

所述屏蔽层与所述焊盘之间沿横向设有间隙,或者,所述屏蔽层与至少一个的所述焊盘接触连接。

8.一种压阻式压力芯片的制备方法,其特征在于,包括:

提供支撑衬底;

于所述支撑衬底的第一表面上形成屏蔽层;

于所述支撑衬底在自身厚度方向上的第二表面向内移除部分材料,形成背腔以及设于所述背腔与所述屏蔽层之间的具有预设厚度的感应层。

9.根据权利要求8所述的压阻式压力芯片的制备方法,其特征在于,所述于所述支撑衬底的第一表面上设置钝化层之前还包括:

根据预设的第一图形,于所述支撑衬底的所述第一表面进行重掺杂,形成引线层;

根据预设的第二图形,于所述引线层上进行轻掺杂,形成引线和通过所述引线电连接的多个压敏电阻;

于所述支撑衬底的所述第一表面上设置钝化层;

根据预设的第三图形,于所述钝化层上形成使所述引线层的至少部分暴露的多个连接孔,并于所述连接孔中设置金属层。

10.根据权利要求8至9任意一项所述的压阻式压力芯片的制备方法,其特征在于,还包括:提供连接衬底;根据预设的第四图形,图案化所述连接衬底,形成贯穿所述连接衬底相对的两个表面的进气通道;将所述连接衬底与所述支撑衬底在自身厚度方向上的第二表面接合,其中所述进气通道与所述背腔连通。

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