[发明专利]利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、安装靶材：将SnO₂和In₂O₃靶材安装在直流溅射靶座，靶座连接脉冲直流电源；将Bi₂O₃和V₂O₅陶瓷靶材安装在射频磁控溅射靶座，靶座连接射频电源；所述SnO₂和In₂O₃靶材的重量百分比10:90；所述Bi₂O₃和V₂O₅陶瓷靶材的原子数百分比1.05:1；

b、预处理衬底材料：选择钇稳定的氧化锆作为衬底材料，将衬底材料依次放入丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗，随后用氮气进行干燥，放入密封袋，备用；

c、制备ITO中间层薄膜：将腔体内抽真空，向真空反应腔内通入氩气，调节氩气压为2.5pa，打开脉冲直流电源，调节沉积功率为30W、转速为5r/min、沉积温度为500℃、沉积时间为10-60min，得到ITO中间层薄膜；

d、制备外延单晶BVO薄膜：向真空反应腔内通入25sccm流量的氩气，调节氩分压为1.9pa；通入70~100sccm流量的氧气，调节氧分压在3.4pa；沉积过程中保持腔体内的总压力在2.5-19pa；连接陶瓷靶材射频电源的功率为50-80W，沉积温度为450-500℃，溅射时间为1-3h；溅射完成后稳定10-20min，然后自然降温至室温后，取出BVO薄膜。

2.根据权利要求1所述的利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法，其特征在于，所述衬底材料的大小为1cm×1cm，暴露晶面为（100）。

3.根据权利要求1所述的利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法，其特征在于，所述超声的功率为250W，超声时间为8-16min。