[发明专利]一种钙钛矿双带光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202011454099.4 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN112582554A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 杨世和;王健;肖爽 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 广州艾维专利商标代理事务所(普通合伙) 44739 | 代理人: | 黄强 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿双带 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)对透明导电基体进行清洗,随后放入烘箱干燥;
(2)制备钙钛矿前驱体溶液,对钙钛矿前驱体溶液进行雾化处理;
(3)以驱动扫描的方式控制喷头将雾化处理后的钙钛矿前驱体溶液均匀喷涂在加热后的基底上,形成钙钛矿前驱体液膜且所述钙钛矿前驱体液膜在溶剂挥发后生成均匀的钙钛矿固体薄膜;
(4)将钙钛矿固体薄膜进行保温处理,即得。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述清洗具体为:使用去离子水、丙酮、异丙醇和乙醇依次对透明导电基底进行超声清洗。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述钙钛矿前驱体溶液制备方法为:将钙钛矿前驱体材料溶解在溶剂中。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述钙钛矿前驱体材料选自无机钙钛矿或有机无机杂化钙钛矿、二元共混钙钛矿、三元共混钙钛矿中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述基底加热至110-250℃。
6.根据权利要求1所述的的制备方法,其特征在于,步骤(3)喷涂过程中,所述喷头距基底的高度为1-7 mm,扫描速度为0.2-2 cm/s。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述扫描次数为1-100次,通过控制扫描次数以调节钙钛矿薄膜的厚度。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)在进行雾化处理时包括通氮气步骤。
9.根据权利要求1-8任一项所述制备方法制备得到的钙钛矿薄膜。
10.一种钙钛矿双带光电探测器,其特征在于,包括根据权利要求1-8任一项所述制备方法制备得到的钙钛矿薄膜或根据权利要求9所述的钙钛矿薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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