[发明专利]一种用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202011455226.2 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112456553A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 张礼杰;潘宝俊;牛丽娟;豆振军;董幼青;邹超 | 申请（专利权）人： | 温州大学新材料与产业技术研究院 |
| 主分类号： | C01G30/00 | 分类号： | C01G30/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 徐佳慧 |
| 地址： | 325000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用热板 可控 合成 二维 氧化 分子 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在热板上铺一层载玻片作载体，接着平放两块载玻片于第一层载玻片上并使两块载玻片之间设有间隔，在间隔的凹槽区域内均匀分布三氧化二锑粉末；
(2)打开热板开关开始升温，当温度达到目标温度，把新鲜切离好的云母片架于三氧化二锑粉末上，反应相应时间得到相应厚度的三氧化二锑分子晶体。
2.根据权利要求1所述的一种使用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法，其特征在于：两块载玻片间隔约1.2厘米。
3.根据权利要求1或2所述的一种使用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法，其特征在于：所述云母片与承载三氧化二锑粉末的载玻片设有用于把空气排出的间距。
4.根据权利要求1或2所述的一种使用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法，其特征在于：云母片的表面温度与三氧化二锑的粉末温度具有一定的温度差。
5.根据权利要求3所述的一种使用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法，其特征在于：云母片的表面温度与三氧化二锑的粉末温度具有一定的温度差。
6.根据权利要求1所述的一种使用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法，其特征在于：可通过控制不同反应时间得到不同厚度的三氧化二锑分子晶体。
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