[发明专利]半导体功率模块双面平行度与整体厚度的控制方法在审
申请号: | 202011456026.9 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112670188A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 雷光寅;邹强;范志斌 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/552 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 功率 模块 双面 平行 整体 厚度 控制 方法 | ||
1.一种半导体功率模块双面平行度与整体厚度的控制方法,其特征在于,在传统半导体功率模块设计的基础上引入第二层连接材料,实现功率模块双面平行度与整体厚度的精确、有效的控制,具体步骤如下:
(1)将第二层材料在注塑过程前附着在功率模块的上、下两面;附着过程避免曝露在高温环境下,避免材料的提前固化;
该第二层材料具有一定的可伸缩性,可以随着压力的增大而变形;
(2)在第二层连接材料外面,再附着外层材料,用以保护模块的内部结构,并提供更加方便的机械安装和散热形式;
(3)合模、固化,在这过程中,功率模块所承受的压力逐渐增大,使“第二连接层”变形,达到控制模块平行度和整体厚度的目的。
2.根据权利要求1所述控制方法,其特征在于,所述第二连接材料为有机高分子材料环氧树脂或氰酸酯树脂。
3.根据权利要求1所述控制方法,其特征在于,所述第二连接材料为绝缘材料,在模块外部就不用额外绝缘层。
4.根据权利要求1所述控制方法,其特征在于,所述外层材料选用金属材料,以有效降低芯片由于高频率开关所带来的电磁干扰问题。
5.根据权利要求1-4之一所述控制方法,其特征在于,所述第二层连接材料,无压力状态下的初始厚度为50–500微米。
6.根据权利要求5所述控制方法,其特征在于,根据第二层连接材料的不同需求,将半导体功率模块温度控制在其软化温度范围,具体为25–150摄氏度之间。
7.根据权利要求6所述控制方法,其特征在于,待温度稳定后,在半导体功率模块两端施加0.05MPa–5MPa范围内的压力,并且继续升高模块温度以固化第二层连接材料。
8.根据权利要求7所述控制方法,其特征在于,第二层连接材料的固化时间为1分钟–2小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造