[发明专利]半导体功率模块双面平行度与整体厚度的控制方法在审

专利信息
申请号: 202011456026.9 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112670188A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 雷光寅;邹强;范志斌 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/552
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 功率 模块 双面 平行 整体 厚度 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体功率模块双面平行度与整体厚度的控制方法,其特征在于,在传统半导体功率模块设计的基础上引入第二层连接材料,实现功率模块双面平行度与整体厚度的精确、有效的控制,具体步骤如下:

(1)将第二层材料在注塑过程前附着在功率模块的上、下两面;附着过程避免曝露在高温环境下,避免材料的提前固化;

该第二层材料具有一定的可伸缩性,可以随着压力的增大而变形;

(2)在第二层连接材料外面,再附着外层材料,用以保护模块的内部结构,并提供更加方便的机械安装和散热形式;

(3)合模、固化,在这过程中,功率模块所承受的压力逐渐增大,使“第二连接层”变形,达到控制模块平行度和整体厚度的目的。

2.根据权利要求1所述控制方法,其特征在于,所述第二连接材料为有机高分子材料环氧树脂或氰酸酯树脂。

3.根据权利要求1所述控制方法,其特征在于,所述第二连接材料为绝缘材料,在模块外部就不用额外绝缘层。

4.根据权利要求1所述控制方法,其特征在于,所述外层材料选用金属材料,以有效降低芯片由于高频率开关所带来的电磁干扰问题。

5.根据权利要求1-4之一所述控制方法,其特征在于,所述第二层连接材料,无压力状态下的初始厚度为50–500微米。

6.根据权利要求5所述控制方法,其特征在于,根据第二层连接材料的不同需求,将半导体功率模块温度控制在其软化温度范围,具体为25–150摄氏度之间。

7.根据权利要求6所述控制方法,其特征在于,待温度稳定后,在半导体功率模块两端施加0.05MPa–5MPa范围内的压力,并且继续升高模块温度以固化第二层连接材料。

8.根据权利要求7所述控制方法,其特征在于,第二层连接材料的固化时间为1分钟–2小时。

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