[发明专利]光传感器

权利要求书

1.一种光传感器，包括：

多个像素；

其中每个像素包括光转换区域；

其中所述多个像素包括第一像素和第二像素；

第一带阻法诺谐振滤波器，设置在所述第一像素之上；以及

其中所述第二像素不包括法诺谐振滤波器。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一带阻法诺谐振滤波器包括被限定在第一介电材料的第一层中的周期性结构。

3.根据权利要求2所述的传感器，其中所述第一带阻法诺谐振滤波器包括第二介电材料的第一层以及所述第二介电材料的第二层，所述第一介电材料的所述第一层位于所述第二介电材料的所述第一层上，并且所述第一介电材料的所述第一层被所述第二介电材料的所述第二层覆盖。

4.根据权利要求3所述的传感器，其中所述第一介电材料选自由以下项组成的组：非晶碳、非晶硅、氮化硅、未掺杂的多晶硅、以及碳化硅，所述第二介电材料包括氧化硅。

5.根据权利要求3所述的传感器，其中所述第一介电材料的所述第一层与所述第二介电材料的所述第一层接触。

6.根据权利要求3所述的传感器，其中所述第一介电材料的所述第二层位于所述第二介电材料的所述第一层的顶部并且与所述第二介电材料的所述第一层接触，并且所述传感器还包括介电材料的第三层，所述介电材料的所述第三层位于所述第一介电材料的所述第二层的顶部并且与所述第一介电材料的所述第二层接触，并且其中所述第一介电材料的所述第一层位于所述第三层的顶部并且与所述第三层接触。

7.根据权利要求6所述的传感器，其中，所述第三层的所述介电材料包括所述第二介电材料。

8.根据权利要求3所述的传感器，其中，所述第二介电材料的所述第一层位于第一抗反射涂层上。

9.根据权利要求3所述的传感器，其中第二抗反射涂层位于所述第二介电材料的所述第二层上。

10.根据权利要求2所述的传感器，其中所述周期性结构具有小于由所述第一带阻法诺谐振滤波器滤波的波长的节距。

11.根据权利要求2所述的传感器，其中所述多个像素还包括第三像素，并且所述传感器还包括设置在所述第三像素之上的第二带阻法诺谐振滤波器，其中，所述第二带阻法诺谐振滤波器具有与所述第一带阻法诺谐振滤波器的阻带的中心频率不同的阻带的中心频率。

12.根据权利要求11所述的传感器，其中，所述第二带阻法诺谐振滤波器包括所述第一带阻法诺谐振滤波器的所有层以及被限定在所述第一介电材料的所述第一层中的周期性结构。

13.根据权利要求2所述的传感器，其中，被限定在所述第一介电材料的所述第一层中的所述周期性结构包括填料阵列。

14.根据权利要求2所述的传感器，其中被限定在所述第一介电材料的所述第一层中的所述周期性结构包括同心环的布置。

15.根据权利要求1所述的传感器，还包括处理电路，被配置为：

从所述第一像素和所述第二像素中的每个像素接收输出信号，所述输出信号表示在像素照射阶段期间由所述像素的所述光转换区域接收的光的量；以及

从所述第一像素和所述第二像素的所述输出信号确定信息，所述信息表示在所述第一带阻法诺谐振滤波器的阻带中的、在所述照射阶段期间由所述传感器接收的光的所述量。

16.根据权利要求15所述的传感器，其中所述处理电路通过从所述第二像素的所述输出信号减去所述第一像素的所述输出信号来做出所述确定。