[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在第一晶圆的背面形成第一键合结构；

在所述第一键合结构上形成保护层；

对所述第一晶圆进行芯片切分；

去除所述保护层；

提供第二晶圆，所述第二晶圆的正面形成有第二键合结构；

分离所述第一晶圆中的各芯片，并通过所述第一键合结构和所述第二键合结构，将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行键合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一晶圆的背面形成第一键合结构之前，将所述第一晶圆的正面与承载晶圆进行临时键合；

在去除所述保护层之后，将所述第一晶圆与所述承载晶圆进行解键合。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆的背面形成第一键合结构的步骤，包括：

对所述第一晶圆的背面进行减薄处理；

在所述第一晶圆的背面形成互连层；

在所述互连层中形成所述第一键合结构。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述承载晶圆为玻璃晶圆；

所述将所述第一晶圆与所述承载晶圆进行解键合的步骤，包括：

通过激光照射，将所述第一晶圆与所述承载晶圆进行解键合。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述将各所述芯片的背面与第二晶圆的正面进行键合的步骤，包括：

将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行预键合；

将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行永久键合。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一晶圆的正面与所述承载晶圆通过键合胶相键合；

所述方法还包括：

在所述第一晶圆与所述承载晶圆进行解键合时，将所述键合胶保留在所述第一晶圆中各芯片的正面；

在各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行预键合之后，去除各所述芯片正面的所述键合胶。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行键合的步骤之前，还包括：

对所述第二晶圆正面的第二键合结构进行等离子激活处理。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述分离所述第一晶圆中的各芯片的步骤之前，还包括：

对所述第一晶圆背面的第一键合结构进行等离子激活处理。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆的背面形成第一键合结构的步骤后与所述在所述第一键合结构上形成保护层的步骤前之间的间隔时长不超过8小时；

所述去除所述保护层的步骤后与所述将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行键合的步骤前之间的间隔时长不超过20小时。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述去除所述保护层的步骤，还包括：

去除所述第一晶圆切分时产生的残留物。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层为键合胶。