[发明专利]一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法

说明书

本发明提供了一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法，基于STI区域位于P型衬底上第一N型掺杂区域和第二N型掺杂区域之间的侦测结构，将栅极和源极浮空，漏极接入预设电压，获取漏电流的第一变化情况；将栅极浮空，源极接地，漏极接入所述预设电压，获取漏电流的第二变化情况；依据第一变化情况和第二变化情况，判断STI区域是否存在异常孔洞。该侦测方法通过在两种上电情况下，分别获取漏电流的变化情况，当STI区域存在异常孔洞时会有额外的漏电流产生，那么漏电流的第二变化情况必然会出现明显的变化，显然通过漏电流的两种变化情况可以判断出STI区域是否存在异常孔洞，且该侦测方法简单，耗时也比较短。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，更具体地说，涉及一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的电子设备已广泛应用于人们的生活和工作中，为人们的日常生活带来了极大的便利。

基于各种各样的电子设备而言，显然离不开集成电路芯片，目前集成电路芯片的尺寸越来越小，导致STI(Shallow Trench Isolation，浅沟道隔离)的深宽比越来越大，导致传统的CVD(Chemical Vapour Deposition，气相沉积法)方法已经无法将STI填好，因此目前采用Flowable CVD(简称FCVD)的方法对STI进行填充。

虽然FCVD具有较好的填洞能力，但是FCVD在填洞的过程中容易发生局部孔洞问题，导致侦测结构的绝缘性变差，漏电流变大。

目前，本领域中一般采用PFA/TEM来验证STI是否具有异常孔洞，但是，由于该异常孔洞仅仅是偶尔出现并非必然出现，那么PFA/TEM的验证方式，并不一定能发现该异常孔洞现象，并且测试时间较长。

那么，如何提供一种有效的STI异常孔洞的侦测方法，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法，技术方案如下：

一种STI异常孔洞的侦测方法，所述侦测方法基于侦测结构，所述侦测结构包括：P型衬底；所述P型衬底具有第一N型掺杂区域、第二N型掺杂区域，以及设置在所述第一N型掺杂区域和所述第二N型掺杂区域之间的STI区域；全覆盖所述STI区域，以及部分覆盖所述第一N型掺杂区域和所述第二N型掺杂区域的栅极；其中，所述第一N型掺杂区域作为源极，所述第二N型掺杂区域作为漏极；

所述侦测方法包括：

将所述栅极和所述源极浮空，所述漏极接入预设电压，获取漏电流的第一变化情况；

将所述栅极浮空，所述源极接地，所述漏极接入所述预设电压，获取漏电流的第二变化情况；

依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞。

可选的，在上述侦测方法中，当对一个所述侦测结构的STI区域进行侦测时，所述依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞，包括：

当所述第二变化情况与所述第一变化情况的漏电流变化趋势接近时，表示所述STI区域不存在异常孔洞。

可选的，在上述侦测方法中，当对一个所述侦测结构的STI区域进行侦测时，所述依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞，包括：

当所述第二变化情况与所述第一变化情况的漏电流变化趋势存在明显差距时，表示所述STI区域存在异常孔洞。

可选的，在上述侦测方法中，当对多个串联的所述侦测结构的STI区域进行侦测时，所述依据所述第一变化情况和所述第二变化情况，判断所述STI区域是否存在异常孔洞，包括：