[发明专利]用于在微电子组件处理期间保护电介质膜的方法及设备

权利要求书

1.一种方法，其包括：

将保护膜施加到位于半导体晶片的有源表面上方的非导电膜NCF；

将所述保护膜分离成在所述半导体晶片上的裸片位置之间的保护膜段；

将所述半导体晶片上的所述裸片位置单切成各自具有在其上方的NCF段的半导体裸片；

从所述半导体裸片移除所述保护膜段；及

拾取个别半导体裸片。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

基本上同时从所述半导体裸片移除所述保护膜段；及

在从所述半导体裸片移除所有保护膜段之后拾取所述个别半导体裸片。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

一次一段地从所述半导体裸片移除所述保护膜段；及

在已从每一个别半导体裸片移除相关联保护膜段之后且在从另一半导体裸片移除保护膜段之前拾取所述每一个别半导体裸片。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中在将所述半导体晶片上的所述裸片位置单切成各自具有在其上方的NCF段的半导体裸片之前实现将所述保护膜分离成保护膜段。

5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中基本上同时实现将所述保护膜分离成保护膜段及将所述半导体晶片上的所述裸片位置单切成各自具有在其上方的NCF段的半导体裸片。

6.根据权利要求1所述的方法，其中通过与热压接合设备协作地相关联的拾取工具或通过承载所述拾取工具的接合头来实现拾取个别半导体裸片。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在拾取每一个别半导体裸片之后反转所述每一个别半导体裸片且将所述每一个别半导体裸片堆叠在另一组件上。

8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中将保护膜施加到位于半导体晶片的有源表面上方的非导电膜NCF包括将干膜光致抗蚀剂施加到所述NCF且将所述保护膜分离成在所述半导体晶片上的裸片位置之间的段包括利用无掩模对准器来对所述干膜光致抗蚀剂进行图案化。

9.根据权利要求8所述的方法，其中使用去胶设备来基本上同时从所述半导体裸片移除所述保护膜段。

10.根据权利要求8所述的方法，其中通过将粘合剂膜段仅施加到每一半导体裸片的保护膜段且从所述NCF段提起所述相应半导体裸片的所述保护膜段，紧接在拾取所述相应裸片之前从所述相应裸片移除所述保护膜段。

11.根据权利要求1或3所述的方法，其中：

将保护膜施加到位于半导体晶片的有源表面上方的非导电膜NCF包括将预成形保护膜粘合到所述NCF；及

在切割动作中基本上同时实现将所述预成形保护膜分离成在所述半导体晶片上的裸片位置之间的段及将在所述半导体晶片上的所述裸片位置单切成各自具有在其上方的NCF段的半导体裸片。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括在移除所述保护膜段之前将热及紫外线辐射中的至少一者施加到所述预成形保护膜，以减弱所述预成形保护膜到所述NCF的粘合。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括紧接在拾取每一相应半导体裸片之前，使用仅接触所述相应半导体裸片的保护膜段的粘合剂膜段以从所述NCF段提起所述相应半导体裸片的所述保护膜段来从所述相应裸片移除所述保护膜段。

14.一种方法，其包括：

提供具有在其上的非导电膜NCF及在所述NCF上的保护膜的衬底；

对所述保护膜进行分段以对应于所述衬底的微电子装置位置；将所述衬底分离成对应于所述微电子装置位置的微电子装置；

从所述微电子装置提起所述经分段保护膜；及

移除所述经分段保护膜已从其提起的微电子装置。