[发明专利]一种选择性发射极及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括：

提供一制绒后的硅片，在所述硅片一侧扩散磷源或硼源，形成轻掺区；

在所述轻掺区一侧依次形成二氧化硅层和阻挡层，所述阻挡层包括通过丝网印刷形成的与电极图案相同的开口结构；

去除所述开口结构位置处的所述二氧化硅层；

去除所述阻挡层；

在所述二氧化硅层背离所述硅片一侧形成磷硅玻璃层或硼硅玻璃层，所述磷硅玻璃层或所述硼硅玻璃层覆盖所述二氧化硅层的开口结构；

在第一温度下持续预设时间，将开口结构内的所述磷硅玻璃层中的磷或所述硼硅玻璃层中的硼经过所述开口结构推进所述硅片内，形成重掺区；

去除所述磷硅玻璃层或所述硼硅玻璃层和所述二氧化硅层，在所述重掺区形成选择性发射极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述轻掺区的方阻大于或等于100Ω/□，小于或等于180Ω/□；

所述重掺区的方阻大于或等于30Ω/□，小于或等于100Ω/□。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度大于或等于50nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层通过高温扩散炉沉积形成、通过低压化学气相沉积形成或通过化学氧化沉积形成。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的开口结构的宽度大于或等于10μm，小于或等于80μm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磷硅玻璃层或所述硼硅玻璃层通过常压化学气相沉积形成，所述磷硅玻璃层或所述硼硅玻璃层的厚度大于或等于50μm，小于或等于150μm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为800℃～1000℃，所述预设时间为0.5min～20min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层由耐酸性腐蚀的材料形成。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层、所述磷硅玻璃层或所述硼硅玻璃层通过氢氟酸水溶液腐蚀去除，所述阻挡层通过碱溶液去除。

10.一种选择性发射极，其特征在于，通过权利要求1～9任一所述的制备方法形成。