[发明专利]一种LCD钼靶材及其轧制方法与应用有效
| 申请号： | 202011458259.2 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112609162B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;郭红波;潘杰;王学泽;丁跃跃 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰钨钼材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B21B3/00;B21B37/74;C22F1/18 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315460 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lcd 钼靶材 及其 轧制 方法 应用 | ||
1.一种LCD钼靶材的轧制方法，其特征在于，所述轧制方法包括以下步骤：
（1）在第一温度下加热钼靶坯并保温，进行速度为10-40m/min的第一火次轧制，厚度变形量为40-50%，单个道次的厚度变形量为20-30%，得到第一钼靶坯；
（2）在第二温度下加热步骤（1）所得第一钼靶坯并保温，进行速度为10-40m/min的第二火次轧制，厚度变形量为30-40%，单个道次的厚度变形量为10-25%，得到第二钼靶坯；
（3）在第三温度下加热步骤（2）所得第二钼靶坯并保温，进行速度为20-50m/min的第三火次轧制，厚度变形量为20-30%，单个道次的厚度变形量为5-20%，校平后得到LCD钼靶材；
其中，所述第一火次轧制、第二火次轧制与第三火次轧制分别独立地包括2-4个道次，且所述第三火次轧制的速度分别对应地高于第一火次轧制与第二火次轧制的速度，所述第一火次轧制的厚度变形量分别对应地高于第二火次轧制与第三火次轧制的厚度变形量。
2.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（1）所述钼靶坯的长度为700-1100mm。
3.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（1）所述钼靶坯的宽度为200-500mm。
4.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（1）所述钼靶坯的厚度为50-100mm。
5.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（1）所述钼靶坯至少有一端为圆弧状。
6.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（1）所得第一钼靶坯在进行步骤（2）之前进行180°换向。
7.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（1）所述第一温度为1100-1300℃。
8.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（2）所述第二温度为1000-1200℃。
9.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（3）所述第三温度为1000-1200℃。
10.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（1）所述保温的时间为60-120min。
11.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（2）所述保温的时间为10-30min。
12.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（3）所述保温的时间为10-30min。
13.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤（3）所述校平包括依次进行的预校平、热处理与终校平。
14.根据权利要求13所述的轧制方法，其特征在于，所述预校平利用轧制余热进行。
15.根据权利要求13所述的轧制方法，其特征在于，所述热处理的温度为1000-1200℃。
16.根据权利要求13所述的轧制方法，其特征在于，所述热处理的保温时间为1-3h。
17.根据权利要求13所述的轧制方法，其特征在于，所述终校平的温度为1000-1100℃。
18.根据权利要求13所述的轧制方法，其特征在于，所述终校平的保温时间为5-20min。
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