[发明专利]可植入的柔性微电极阵列及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011459423.1 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112546434A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 吴天准;王昊;艾姆蒂·伊史拉特·伊·埃拉嘿;曾齐 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: A61N1/05 分类号: A61N1/05;A61N1/36
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;黄进
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 植入 柔性 微电极 阵列 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种可植入的柔性微电极阵列,其特征在于,包括:

柔性聚合物衬底,所述柔性聚合物衬底上设置有用于容纳电极的位点凹坑;

设置于所述位点凹坑中电极,所述电极包括第一金属层和第二金属层;

覆设于所述柔性聚合物衬底上的光滑注液多孔表面层;其中,

所述光滑注液多孔表面层包括:形成在所述第二金属层表面的第一纳米锥结构、形成在所述柔性聚合物衬底表面的第二纳米锥结构以及注入到所述第一纳米锥结构和所述第二纳米锥结构的孔隙中的润滑剂。

2.根据权利要求1所述的可植入的柔性微电极阵列,其特征在于,所述第一纳米锥结构和所述第二纳米锥结构的高度分别为100nm~300nm。

3.根据权利要求2所述的可植入的柔性微电极阵列,其特征在于,所述第一金属层的材料为Ti,所述第二金属层的材料为Pt,所述润滑剂为硅油。

4.根据权利要求3所述的可植入的柔性微电极阵列,其特征在于,所述第一金属层的厚度为10nm~25nm,所述第二金属层的厚度为100nm~400nm。

5.根据权利要求1-4任一所述的可植入的柔性微电极阵列,其特征在于,所述柔性聚合物衬底的厚度为5μm~15μm。

6.根据权利要求5所述的可植入的柔性微电极阵列,其特征在于,所述柔性聚合物衬底的材料为PI。

7.一种如权利要求1-6任一所述的可植入的柔性微电极阵列的制备方法,其特征在于,包括:

结合光刻工艺和溅射沉积工艺制备获得所述柔性聚合物衬底和形成在所述柔性聚合物衬底中的所述电极;

在所述柔性聚合物衬底上制备形成所述光滑注液多孔表面层,包括:通过电化学沉积工艺在所述第二金属层表面制备第一纳米锥结构,通过反应离子刻蚀工艺在所述柔性聚合物衬底表面制备第二纳米锥结构;向所述第一纳米锥结构和所述第二纳米锥结构的孔隙中注入所述润滑剂。

8.根据权利7所述的可植入的柔性微电极阵列的制备方法,其特征在于,所述结合光刻工艺和溅射沉积工艺制备获得所述柔性聚合物衬底和所述电极的步骤包括:

在刚性基底上通过旋涂工艺制备获得第一柔性聚合物薄膜层;

在所述第一柔性聚合物薄膜层上涂覆光刻胶,通过曝光显影工艺制备形成光刻胶掩膜版;

在所述光刻胶掩膜版的遮挡下,在所述第一柔性聚合物薄膜层上依次溅射沉积所述第一金属层和所述第二金属层;

剥离所述光刻胶掩膜版,在所述第一柔性聚合物薄膜层上获得所述电极;

在所述第一柔性聚合物薄膜层上涂覆形成第二柔性聚合物薄膜层;

对所述第二柔性聚合物薄膜层进行干法刻蚀以使得所述电极暴露出;

将所述第一柔性聚合物薄膜层从所述刚性基底上剥离,制备获得包含有所述电极的柔性聚合物衬底。

9.根据权利7所述的可植入的柔性微电极阵列的制备方法,其特征在于,所述电化学沉积工艺为三电极体系的电化学沉积工艺,其中以位于所述柔性聚合物衬底上的所述电极为工作电极,Pt电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极;所述反应离子刻蚀工艺中的刻蚀气体为O2

10.根据权利7所述的可植入的柔性微电极阵列的制备方法,其特征在于,将所述润滑剂注入使得所述润滑剂润湿并且粘附至所述第一纳米锥结构和所述第二纳米锥结构的表面以形成稳定的液体表面,注入完成后将所述柔性聚合物衬底倾斜放置一定的时间,以去除多余的润滑剂。

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