[发明专利]一种新型红外探测器及制备方法

权利要求书

1.一种新型红外探测器，包括设置在带处理电路的衬底上的微桥谐振腔结构，其特征在于：所述微桥谐振腔结构包括牺牲层、支撑与电连接孔和功能层，所述牺牲层采用碳基材料制成，所述功能层覆盖在整个微桥的表面，并将填充在支撑与电连接孔内的牺牲层封住。

2.根据权利要求1所述的新型红外探测器，其特征在于：所述微桥谐振腔结构还包括敏感层以及设置在敏感层上方的功能层，所述敏感层中与功能层相接触的全部区域或者部分区域设置有电阻调节区。

3.根据权利要求2所述的新型红外探测器，其特征在于：所述电阻调节区通过热处理工艺，使对应区域功能层内部的杂质扩散到敏感层形成。

4.根据权利要求3所述的新型红外探测器，其特征在于：所述功能层中与敏感层相接触的全部区域或者部分区域含有指定掺杂浓度的杂质，或者整个功能层的全部区域均含有指定掺杂浓度的杂质。

5.根据权利要求4所述的新型红外探测器，其特征在于：所述杂质设置为B、P、As、Te、Sb、In的SiO2、SiON、SiN或SiC材料中的一种或者多种。

6.根据权利要求2所述的新型红外探测器，其特征在于：所述支撑与电连接孔的底部和侧壁由外到内包括第一金属层和第二金属层，其顶部外围由下至上包括第一金属层和第二金属层，且第一金属层与电阻调节区相接。

7.根据权利要求6所述的新型红外探测器，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层采用相同或者不同的材料制成，所述材料包括Ti\TiN、Ta\TaN、TiN、TaN或者Pt。

8.根据权利要求6所述的新型红外探测器，其特征在于：所述第二金属层的厚度大于第一金属层的厚度。

9.根据权利要求6所述的新型红外探测器，其特征在于：所述微桥谐振腔结构从下到上依次包括带处理电路的衬底、顶层金属层及反射层、碳基牺牲层及嵌在碳基牺牲层内的支撑与电连接孔、敏感层、敏感层内的电阻调节区、电极层、功能层、吸收层，所述电极层包括第一金属层和第二金属层。

10.一种新型红外探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

a)在带处理电路的衬底上沉积顶层金属层，再进行图形化处理，然后填充介质使其平坦化，再依次沉积第一碳基牺牲层和敏感层；

b)光刻刻蚀敏感层和第一碳基牺牲层，停在顶层金属层上，形成支撑与电连接孔；

c)沉积第一金属层

d)沉积第二碳基牺牲层；

e)对第二碳基牺牲层进行图形化处理，去除支撑与电连接孔内以及其顶部外围区域的第二碳基牺牲层，并去除光刻胶；

f)沉积第二金属层；

g)对第二金属层进行图形化处理，然后使用氧等离子体去除剩余微桥表面的第二碳基牺牲层，再沉积第三碳基牺牲层，将支撑及电连接孔填满；

h)使用氧等离子体全片刻蚀第三碳基牺牲层，仅保留支撑及电连接孔内的第三碳基牺牲层；

i)图形化形成微桥表面的第一金属层的图形；

j)依次沉积功能层和吸收层，并图形化处理；

k)对功能层进行热处理，使其内部的杂质扩散到与之相接触的下方敏感层，在敏感层内的电阻调节区；

l)释放第一碳基牺牲层，完成器件制备。