[发明专利]一种具有沟槽发射极埋层的IGBT结构在审
| 申请号： | 202011461775.0 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112510082A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;李岩松;古湧乾 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 发射极 igbt 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有沟槽发射极埋层的IGBT结构，其元胞结构包括P型集电区(1)，位于集电区(1)上方的N型缓冲层(2)和N型漂移区(3)，所述漂移区(3)中设有多晶硅栅极(6)及栅极氧化层(5)、金属发射极(11)及发射极氧化层(12)以及P型基区(8)，所述P型基区(8)上设有N+型发射区(9)和P+型高掺杂区(13)，所述P型基区(8)下设有N型载流子存储层(7)，其特征在于，所述发射极(11)做成浅沟槽结构，并在发射极沟槽(11)以及栅极沟槽(6)底部增加了两个P型埋层(10)和(4)。
2.根据权利要求1所述的具有沟槽发射极埋层的IGBT结构，其特征在于，P型埋层(10)与P型埋层(4)不相连。
3.根据权利要求1所述的具有沟槽发射极埋层的IGBT结构，其特征在于，P型掺杂区(10)与N型漂移区(3)相连。
4.根据权利要求1和2所述的具有沟槽发射极埋层的IGBT结构，其特征在于，P型埋层(10)的典型掺杂浓度为6×1018cm-3，P型埋层(4)的典型掺杂浓度为3×1017cm-3。
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