[发明专利]应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构及制作方法在审
申请号: | 202011461875.3 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN112363352A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 叶芸;钟丽娟;江宗钊;郭太良;陈恩果;徐胜;秦新智 | 申请(专利权)人: | 福州大学;闽都创新实验室 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 侧入式 背光 模组 量子 耦合 结构 制作方法 | ||
1.一种应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构,其特征在于,包括:相耦合设置的多组LED芯片和外凸状或内凸状的量子点微结构;所述量子点微结构紧密排列在导光板侧部的入光面上。
2.根据权利要求1所述的应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构,其特征在于:所述量子点微结构外凸或内嵌于导光板,外凸量子点微结构为中间厚两边薄的形状或为中间薄两边厚的形状。
3.根据权利要求1所述的应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构,其特征在于:所述量子点微结构由红、绿量子点、散射粒子以及金属纳米粒子组成;所述散射粒子和金属纳米粒子分别存在于微结构中,或金属纳米粒子附着在散射粒子的表面形成复合结构存在于微结构中。
4.根据权利要求3所述的应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构,其特征在于:红色量子点材料采用硫化镉量子点或硒化镉量子点或碲化镉量子点或硒化锌量子点或硫化铅量子点或硒化铅量子点或磷化铟量子点或砷化铟量子点;绿色量子点材料采用钙钛矿量子点或硫化镉量子点或硒化镉量子点或碲化镉量子点或硒化锌量子点或硫化铅量子点或硒化铅量子点或磷化铟量子点或砷化铟量子点;所述散射粒子的材料采用SiO2或TiO2,所述金属纳米粒子的材料采用Ag或Al。
5.根据权利要求3所述的应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构,其特征在于:在所述量子点微结构中:红、绿量子点与散射粒子的比例为1:6至1:9;所述散射粒子与金属纳米粒子的比例为3:1至1:1,在金属纳米粒子附着在散射粒子的表面形成复合结构的情况下,比例为1:1。
6.根据权利要求1所述的应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构,其特征在于:所述LED芯片为蓝光LED,所述蓝光LED与量子点微结构一一对应。
7.根据权利要求6所述的应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构,其特征在于:所述蓝光LED的发光波长为450nm-480nm,材料为GaN;所述LED芯片距离导光板的间距d1mm;相邻LED芯片的间距为x=2dtanθmm,其中θ为LED芯片的发光角度。
8.根据权利要求1所述的应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构,其特征在于:所述量子点微结构与导光板接触的入光区域为矩形,其宽度与导光板厚度一致,其长度L根据以下公式计算:
X=L+2dtanθ;
其中,L为LED芯片长度,d为LED芯片与导光板的距离,θ为LED发光角度。
9.一种应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:在导光板的入光面涂上一层光刻胶,根据LED芯片的数量以及LED芯片与导光板间距,把每个LED芯片对位入射于导光板侧边处的光斑区用掩模板遮住,将除了入光区域外的光刻胶曝光显影去除;
步骤S2:在导光板上具有光刻胶以外的区域涂上一层疏水材料;
步骤S3::将全部光刻胶去除,以在导光板的入光面形成多个图案化的亲水喷墨打印区;
步骤S4:调配红、绿色量子点溶液,混合溶液的溶剂为单一或混合有机溶剂,有机溶剂与溶质质量比为9:1至2:3;
步骤S5:将调配好的红、绿色量子点溶液打印在图案化的亲水喷墨打印区,以形成凸状的量子点微结构,并根据所需的微结构的厚度,计算出一滴溶液干燥后的厚度,得出需打印的墨滴数量;
步骤S6:根据设计的耦合量子点结构,使用激光刻蚀工艺将其加工至所需要的图案。
10.根据权利要求9所述的应用于侧入式背光模组的量子点光耦合结构的制备方法,其特征在于:在外部基板上根据步骤S1-步骤S6制作出量子点微结构,再将其转移至导光板入光面。
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