[发明专利]一种提高MEMS陀螺仪精度的方法在审
申请号: | 202011464418.X | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112665586A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 史凯;曹国军;卓晗;曹砺原;张超;张琪 | 申请(专利权)人: | 陕西华燕航空仪表有限公司 |
主分类号: | G01C21/18 | 分类号: | G01C21/18;G01C25/00 |
代理公司: | 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51248 | 代理人: | 张勋 |
地址: | 723000 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 mems 陀螺仪 精度 方法 | ||
1.一种提高MEMS陀螺仪精度的方法,其特征在于,包括:
将两个同型号的MEMS陀螺仪相对地设置在PCB电路板的两侧,使得两个所述MEMS陀螺仪的敏感轴共线,得到组合模型;其中,所述PCB电路板分别与两个所述MEMS陀螺仪电连接,所述PCB电路板包含有数据采集模块和运算模块;
在所述组合模型工作时,利用所述采集模块分别对两个所述MEMS陀螺仪输出的原始信号进行采集,采集到的所述原始信号经过所述运算模块的差分处理后,输出为最终信号。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述MEMS陀螺仪的敏感轴均与所述PCB电路板的质心重合。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述MEMS陀螺仪的零偏稳定性≤10°/h。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,两个所述MEMS陀螺仪零偏稳定性的偏差率小于10%,所述偏差率按照以下公式计算
式中,A为偏差率,D1、D2分别为两个所述MEMS陀螺仪的零偏稳定性。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在使用所述组合模型之前,对所述组合模型进行标定;对所述组合模型进行标定的方法包括:
将所述组合模型放置于高精密转台上保持静止,记录所述最终信号,并根据所述最终信号计算所述组合模型的标度因数和零偏。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,进行标定时,所述组合模型的敏感轴平行于所述高精密转台的转轴,且与当地水平面垂直。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,进行标定时,记录所述最终信号的时长≥1h。
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