[发明专利]存储结构、三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成堆栈结构，所述堆栈结构包括层叠交替的第一介电层和伪栅极层，且所述堆栈结构包括沿第一方向相邻设置的台阶区和核心区，所述堆栈结构还包括沿第二方向相邻设置的多个块结构；

在所述块结构的内部形成若干沿第三方向贯穿所述堆栈结构的栅线分隔槽，且所述栅线分隔槽沿着所述第一方向在所述台阶区和所述核心区内断续分布；

沿着所述栅线分隔槽，去除所述伪栅极层，在所述块结构的边缘区域保留部分所述伪栅极层，并与所述第一介电层形成隔离结构，以将所述堆栈结构划分为多个所述块结构；

其中，在所述堆栈结构的堆栈平面内，所述第二方向垂直于所述第一方向，且所述第三方向同时垂直于所述第二方向与所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述堆栈结构之后，在形成所述栅线分隔槽之前，所述三维存储器的制造方法还包括步骤：

在所述台阶区中形成台阶结构，所述台阶结构包括多级台阶；

形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述台阶结构和所述核心区；

在所述核心区中形成导电沟道结构。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，若干所述栅线分隔槽按照交替设置的第一间距和第二间距在所述第二方向上间隔排列，在所述第二方向上将所述伪栅极层划分为长度为所述第一间距和所述第二间距的若干伪栅极段，所述第一间距小于所述第二间距。

4.根据权利要求3所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述栅线分隔槽之后，在刻蚀去除所述伪栅极层之前，所述三维存储器的制造方法还包括步骤：

形成顶部隔绝结构，所述顶部隔绝结构与所述隔离结构将所述堆栈结构划分为多个所述块结构。

5.根据权利要求4所述的存储结构的制造方法，其特征在于，形成所述顶部隔绝结构的步骤包括：

刻蚀所述堆栈结构，形成若干隔绝槽，所述隔绝槽沿着所述第一方向在所述台阶区和所述核心区内延伸，若干所述隔绝槽在所述第二方向上间隔排列，且每个所述隔绝槽沿着所述第三方向在所述堆栈结构上的投影位于长度为所述第二间距的所述伪栅极段的中部；

填充所述隔绝槽，形成所述顶部隔绝结构。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述隔绝槽贯穿所述堆栈结构顶部的若干所述第一介电层和若干所述伪栅极层。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，沿着所述栅线分隔槽，刻蚀去除所述伪栅极层时，在所述第二方向上，长度为所述第一间距的所述伪栅极段被完全去除，长度为所述第二间距的所述伪栅极段保留有一定宽度。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述三维存储器的制造方法还包括步骤：

沿着所述栅线分隔槽，在所述伪栅极层的去除部位替换形成栅极层；

填充所述栅线分隔槽，形成栅线分隔结构。

9.根据权利要求8所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述三维存储器的制造方法还包括：

形成第一导电插塞及第二导电插塞，所述第一导电插塞及所述第二导电插塞均设置在所述第二介电层中，若干所述第一导电插塞贯穿所述第二介电层与所述台阶一一对应连接，所述第二导电插塞贯穿所述第二介电层至所述衬底；

形成第一键合接触部，所述第一键合接触部引出所述第一导电插塞、所述第二导电插塞及所述导电沟道结构。

10.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述三维存储器的制造方法还包括：

形成驱动控制结构，所述驱动控制结构包括第二衬底、驱动电路及第二键合接触部，所述驱动电路及所述第二键合接触部设置在所述第二衬底的正面上，所述第二键合接触部引出所述驱动电路；将所述第二键合接触部与所述第一键合接触部的键合连接。