[发明专利]弱能量收集用锗锡肖特基二极管、弱能量收集电路和天线在审
| 申请号： | 202011467431.0 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112563334A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/165;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能量 收集 用锗锡肖特基 二极管 电路 天线 | ||
1.一种弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，包括：
衬底；
低温Ge缓冲层，形成于所述衬底的上表面；
高温Ge缓冲层，形成于所述低温Ge缓冲层的上表面；
n+DR-Ge1-xSnx层，形成于所述高温Ge缓冲层的上表面；其中，0.08≤x≤0.12；
n-DR-Ge1-xSnx层，形成于所述n+DR-Ge1-xSnx层的上表面的一端；其中，0.08≤x≤0.12；
Si帽层，形成于所述n-DR-Ge1-xSnx层的上表面；
第一电极，形成于所述Si帽层的上表面；
第二电极，形成于所述n+DR-Ge1-xSnx层的上表面的另一端。
2.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述衬底为110晶向的Si衬底。
3.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述低温Ge缓冲层在275-325℃温度下形成，厚度为150-200nm。
4.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述高温Ge缓冲层在500-600℃温度下形成，厚度为400-500nm。
5.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述n+DR-Ge1-xSnx层是利用RPCVD工艺，在300℃温度下，以SnD4和Ge2H6作为气源，在H2氛围下形成后，再注入掺杂浓度为1×1019cm-3的P离子形成；厚度为500-700nm。
6.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述n-DR-Ge1-xSnx层是利用RPCVD工艺，在300℃温度下，以SnD4和Ge2H6作为气源，在H2氛围下形成后，再注入掺杂浓度为3×1017cm-3的P离子形成；厚度为800-900nm。
7.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述Si帽层的厚度为10nm。
8.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述第一电极为W金属阳极，所述第二电极为Al金属阴极。
9.一种弱能量收集电路，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管。
10.一种弱能量收集天线，其特征在于，包括权利要求9所述的弱能量收集电路。
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