[发明专利]光传感器结构

权利要求书

1.一种光传感器结构，其特征在于，所述光传感器结构包括：

一基板，包括多个金属垫；

一光感测组件，设置在所述基板上并与所述多个金属垫电性连接；

一外周壁，设置在所述基板上，所述外周壁与所述基板形成一容置空间，所述金属垫以及所述光感测组件位在所述容置空间；以及

一第一反射材料层，设置在所述容置空间，所述第一反射材料层围绕所述光感测组件。

2.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述光感测组件为萧特基二极管或光敏电阻。

3.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述光感测组件的上表面涂覆一层薄膜，所述薄膜的折射率小于所述光感测组件的折射率。

4.根据权利要求3所述的光传感器结构，其特征在于，所述薄膜为硅胶或氟聚合物。

5.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述第一反射材料层由所述光感测组件朝着所述外周壁向上倾斜。

6.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述第一反射材料层包括硅胶或氟聚合物。

7.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述第一反射材料层包含掺杂材料，所述掺杂材料包括以下群组中之一或多者：聚四氟乙烯、全氟乙烯丙烯共聚物、过氟烷基化物、乙烯-四氟乙烯共聚物以及二氧化锆。

8.根据权利要求7所述的光传感器结构，其特征在于，所述掺杂材料占所述第一反射材料层的重量百分比为30％至70％。

9.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述光感测组件沿着所述基板的表面旋转一旋转角度。

10.根据权利要求9所述的光传感器结构，其特征在于，所述旋转角度介于40～50度。

11.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述光传感器结构进一步包括一基底层，所述基底层设置在所述容置空间且围绕所述光感测组件，且所述基底层位在所述第一反射材料层下方。

12.根据权利要求11所述的光传感器结构，其特征在于，所述基底层选自以下群组：硅胶、氟聚合物、聚四氟乙烯、全氟乙烯丙烯共聚物、过氟烷基化物、乙烯-四氟乙烯共聚物及前述之任意组合。

13.根据权利要求11所述的光传感器结构，其特征在于，所述基底层与所述第一反射材料层的接触面不高于所述光感测组件的上表面。

14.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述光传感器结构进一步包括:一透镜组件，所述透镜组件叠设在所述外周壁上。

15.根据权利要求14所述的光传感器结构，其特征在于，所述透镜组件涂覆有增透层。

16.根据权利要求1所述的光传感器结构，其特征在于，所述光传感器结构进一步包括:一电阻组件，所述电阻组件电性连接所述光感测组件。

17.根据权利要求16所述的光传感器结构，其特征在于，所述第一反射材料层覆盖所述电阻组件。

18.根据权利要求16所述的光传感器结构，其特征在于，所述电阻组件设置在所述基板上，并且与所述光感测组件并联。

19.根据权利要求16所述的光传感器结构，其特征在于，所述电阻组件设置在所述基板上，且所述光感测组件叠设在所述电阻组件上，且所述电阻组件与所述光感测组件并联。