[发明专利]并联式径向磁流变阀及其减振器有效

专利信息
申请号: 202011468229.X 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112555328B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 董小闵;王陶;石开元 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: F16F9/53 分类号: F16F9/53;F16F9/34;F16F9/348;F16F9/36
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 胡博文
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 并联 径向 流变 及其 减振器
【说明书】:

发明公开了一种并联式径向磁流变阀,包括活塞外筒和设置于活塞外筒端部的活塞上端盖;活塞外筒沿轴向方向均匀间隔设置有多个导磁片,导磁片与活塞外筒之间设置有线圈隔筒;线圈隔筒与活塞外筒之间布置有励磁线圈;导磁片中心沿轴向方向设置有导磁片开孔,导磁片开孔沿轴向方向贯通形成第一导流道,多个导磁片之间的间隙沿径向方向形成第二导流道,导磁片与线圈隔筒之间形成第三导流道;本技术方案的并联式径向磁流变阀,将径向流道与多通道并联结构相结合,同时增加可控的库伦阻尼力和降低不可控的粘滞阻尼力,使磁流变阻尼器的动态范围大大提高,大大改善了磁流变阻尼器的可控性,提升了磁流变阻尼器在高速冲击环境下的缓冲性能。

技术领域

本发明涉及磁流变减振领域,具体涉及一种并联式径向磁流变阀及其减振器。

背景技术

缓冲是指在诸如车辆、直升机和重型武器等器械受到高速冲击时缓和其机械振动,使其受力平缓的过程。在实际中,这些冲击情形都会使乘员以及机械设备受到很大的冲击,从而危害乘员的生命安全以及设备安全,因此有必要采取缓冲措施。磁流变缓冲装置是以磁流变介质为填充材料,借助于磁流变介质在磁场的作用下,能在毫秒级的时间内改变流变特性而研制成的半主动缓冲器件。半主动缓冲系统的性能主要取决于磁流变阻尼器的性能,动态范围最为衡量磁流变阻尼器可控性的一个重要指标,直接决定磁流变阻尼器的性能优劣。在低速环境下,隔振系统对阻尼器的阻尼力性能要求不高,传统的磁流变阻尼器即可为半主动控制系统提供合理的性能,但传统的磁流变阻尼器的动态范围随着活塞速度的增加而显著减小,因此在高速环境下无法有效地减轻冲击载荷,使磁流变阻尼器的缓冲效率大大降低。现有的磁流变阻尼器大多采用单一环形流道,利用流动模式产生可控的库伦阻尼力,但工作区域面积太小,产生的可控库伦阻尼力太小,且单一流道体积流量小、流速高,产生的不可控粘滞阻尼力太大,最终导致磁流变阻尼器的动态范围太小。

为此,需要一种新型的并联式径向磁流变阀及其减振器,用以解决上述问题。

发明内容

有鉴于此,本技术方案的并联式径向磁流变阀,将径向流道与多通道并联结构相结合,同时增加可控的库伦阻尼力和降低不可控的粘滞阻尼力,使磁流变阻尼器的动态范围大大提高,大大改善了磁流变阻尼器的可控性,提升了磁流变阻尼器在高速冲击环境下的缓冲性能。保护乘员的生命安全以及设备安全。

一种并联式径向磁流变阀,包括活塞外筒和设置于活塞外筒端部的活塞上端盖;所述活塞外筒沿轴向方向均匀间隔设置有多个导磁片,所述导磁片与活塞外筒之间设置有线圈隔筒;所述线圈隔筒与活塞外筒之间均匀布置有励磁线圈;所述导磁片中心沿轴向方向均设置有导磁片开孔,所述多个导磁片开孔沿轴向方向贯通形成第一导流道,所述导磁片之间的间隙沿导磁片径向方向形成第二导流道,所述导磁片与线圈隔筒之间形成环形结构的第三导流道;所述三个导流道相互连通设置。

进一步,所述活塞上端盖上设置有用于向活塞外筒内部导通的上导流孔,所述活塞上端盖上设置有用于与第三导流道进行单向导通的单向导通组件。

进一步,所述上导流孔设置有多个且上导流孔相对于活塞外筒的轴线方向对称布置,所述单向导通组件为两组且两组单向导通组件相对于活塞外筒的轴线方向对称布置。

进一步,所述上导流孔到活塞外筒轴线的距离小于单向导通组件到活塞外筒轴线的距离,所述上导流孔截面呈弧形结构。

进一步,所述导磁片之间设置有用于导磁片形成间隙的导磁片垫片。

进一步,所述活塞外筒底部设置有下导流孔,所述下导流孔为多个且多个下导流孔在同一圆周方向均匀布置。

进一步,所述单向导通组件包括固定设置于活塞上端盖内侧的螺旋拉伸弹簧以及设置于活塞上端盖外侧的阀片。

进一步,所述活塞外筒和活塞上端盖之间设置有O型密封环。

一种减振器,所述减振器设置有并联式径向磁流变阀,所述减振器采用所述并联式径向磁流变阀。

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