[发明专利]弱能量收集用锗锡肖特基二极管的制备方法

权利要求书

1.一种弱能量收集用锗锡肖特基的制备方法，其特征在于，包括：

选取衬底；

在所述衬底的上表面形成低温Ge缓冲层；

在所述低温Ge缓冲层的上表面形成高温Ge缓冲层；

在所述高温Ge缓冲层的上表面形成n⁺DR-Ge_1-xSn_x层；其中，0.08≤x≤0.12；

在所述n⁺DR-Ge_1-xSn_x层的上表面形成n^-DR-Ge_1-xSn_x层；其中，0.08≤x≤0.12；

在所述n^-DR-Ge_1-xSn_x层的上表面形成Si帽层；

刻蚀至所述n⁺DR-Ge_1-xSn_x层的上表面形成台阶结构；

在所述台阶结构中的Si帽层的上表面形成第一电极；

在所述台阶结构中的n⁺DR-Ge_1-xSn_x层的上表面形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述选取衬底，包括：

选取110晶向的Si衬底；

使用稀氢氟酸和去离子水清洗所述Si衬底表面。

3.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述在所述衬底的上表面形成低温Ge缓冲层，包括：

利用RPCVD工艺，在275-325℃温度下，在所述Si衬底上生长150-200nm的低温Ge缓冲层。

4.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述在所述低温Ge缓冲层的上表面形成高温Ge缓冲层，包括：

利用RPCVD工艺，在500-600℃温度下，在所述第一低温Ge层上生长400-500nm的高温Ge缓冲层。

5.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述在所述高温Ge缓冲层的上表面形成n⁺DR-Ge_1-xSn_x层，包括：

利用RPCVD工艺，在300℃温度下，以SnD₄和Ge₂H₆作为气源，在H₂氛围下，在所述第二Ge层上生长500-700nm的第一DR-GeSn层；

使用离子注入工艺在所述第一DR-GeSn层注入P离子，形成掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3的n⁺DR-Ge_1-xSn_x层。

6.根据权利要求1所述的弱能量收集用锗锡肖特基二极管，其特征在于，所述在所述n⁺DR-Ge_1-xSn_x层的上表面的一端形成n^-DR-Ge_1-xSn_x层，包括：

利用RPCVD工艺，在300℃温度下，以SnD₄和Ge₂H₆作为气源，在H₂氛围下，在所述第二Ge层上生长800-900nm的第二DR-GeSn层；

使用离子注入工艺在所述第二DR-GeSn层注入P离子，形成掺杂浓度为3×10¹⁷cm^-3的n^-DR-Ge_1-xSn_x层。