[发明专利]一种弱能量收集用复合半导体肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202011468495.2 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112687540A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/165 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能量 收集 复合 半导体 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
1.一种弱能量收集用复合半导体肖特基二极管的制备方法，其特征在于，应用于2.45GHz弱能量密度收集，所述方法包括：
选取Si衬底；
在所述Si衬底的上表面形成Ge缓冲层；
在所述Ge缓冲层的上表面形成n+Ge1-xPbx层；
在所述n+Ge1-xPbx层的上表面形成n-Ge1-xPbx层；其中，x为3.125；所述n+Ge1-xPbx层和所述n-Ge1-xPbx层为[100]晶向的GePb材料；
刻蚀至所述n+Ge1-xPbx层的上表面形成台阶结构；
在所述台阶结构中所述n-Ge1-xPbx层上形成Ti电极；
在所述台阶结构中所述n+Ge1-xPbx层上形成Al电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述Si衬底的上表面形成Ge缓冲层，包括：
利用RPCVD工艺，在275℃～325℃温度下，在所述Si衬底的上表面，生长厚度为100-200nm的第一Ge层；
利用RPCVD工艺，在500℃～600℃温度下，在所述第一Ge层的上表面，生成厚度为300-400nm的第二Ge层；其中，所述Ge缓冲层包括所述第一Ge层和所述第二Ge层；
相应的，所述在所述Ge缓冲层的上表面形成n+Ge1-xPbx层，包括：
在所述第二Ge层的上表面形成所述n+Ge1-xPbx层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二Ge层的上表面形成所述n+Ge1-xPbx层，包括：
使用磁控溅射法，在250℃温度下，以Pb和Ge作为靶源，在所述第二Ge层上表面生长500-700nm的GePb层作为第一GePb层；其中，所述第一GePb层为[100]晶向的GePb材料，Pb比例为3.125％；
在300℃温度下，向所述第一GePb层注入P离子，形成掺杂浓度为1×1019cm-3的所述n+Ge1-xPbx层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述n+Ge1-xPbx层的上表面形成n-Ge1-xPbx层，包括：
使用磁控溅射法，在250℃温度下，以Pb和Ge作为靶源在所述n+Ge1-xPbx层上表面生长700-800nm的GePb层作为第二GePb层；所述第二GePb层为[100]晶向的GePb材料，Pb比例为3.125％；
在300℃温度下，向所述第二GePb层注入P离子，形成掺杂浓度为3×1017cm-3的所述n-Ge1-xPbx层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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