[发明专利]一种弱能量收集用复合半导体肖特基二极管及整流电路在审
| 申请号： | 202011468502.9 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112670351A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/165;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能量 收集 复合 半导体 肖特基 二极管 整流 电路 | ||
1.一种弱能量收集用复合半导体肖特基二极管，其特征在于，应用于2.45GHz弱能量密度收集，包括：
Si衬底(001)；
第一Ge层(002)，设置于所述Si衬底(001)的上表面；
第二Ge层(003)，设置于所述第一Ge层(002)的上表面；
n+Ge1-xPbx层(004)，设置于所述第二Ge层(003)的上表面；
n-Ge1-xPbx层(005)，设置于所述n+Ge1-xPbx层(004)上表面的第一区域内；其中，x为3.125；所述n+Ge1-xPbx层(004)和所述n-Ge1-xPbx层(005)为[100]晶向的GePb材料；
Ti电极(006)，设置于所述n-Ge1-xPbx层(005)的上表面；
Al电极(007)，设置于所述n+Ge1-xPbx层(004)上表面的第二区域内。
2.根据权利要求1所述的弱能量收集用复合半导体肖特基二极管，其特征在于：
所述第一Ge层(002)的制备温度为275℃～325℃，厚度为100-200nm；
所述第二Ge层(003)的制备温度为500℃～600℃，厚度为300-400nm。
3.根据权利要求1所述的弱能量收集用复合半导体肖特基二极管，其特征在于：
所述n+Ge1-xPbx层(004)是由第一GePb层经P离子注入得到的，所述n+Ge1-xPbx层(004)的P离子的掺杂浓度为1×1019cm-3，其中，所述第一GePb层设置于所述第二Ge层(003)上表面。
4.根据权利要求3所述的弱能量收集用复合半导体肖特基二极管，其特征在于：
所述第一GePb层厚度为500-700nm，制备靶源为Pb和Ge。
5.根据权利要求1所述的弱能量收集用复合半导体肖特基二极管，其特征在于：
所述n-Ge1-xPbx层(005)是由第二GePb层经P离子注入得到的，所述n-Ge1-xPbx层(005)的P离子的掺杂浓度为3×1017cm-3，其中，所述第二GePb层设置于所述n+Ge1-xPbx层(004)上表面。
6.根据权利要求5所述的弱能量收集用复合半导体肖特基二极管，其特征在于：
所述第二GePb层厚度为700-800nm，制备靶源为Pb和Ge。
7.根据权利要求1所述的弱能量收集用复合半导体肖特基二极管，其特征在于，所述n-Ge1-xPbx层(005)和所述Ti电极(006)之间还包括：100晶向的Ge帽层(008)。
8.根据权利要求7所述的弱能量收集用复合半导体肖特基二极管，其特征在于：
所述Ge帽层(008)的厚度为10nm。
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