[发明专利]一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器，包括基板(1)，其特征在于，还包括设置在基板(1)上的金属电极(3)、设置在基板(1)上的N种纳米条阵列(2)，N种所述纳米条阵列(2)能够吸收N种偏振角度的线偏振光，N为大于等于2的整数，纳米条阵列(2)的纳米条连接金属电极(3)，纳米条为纳米线或纳米带，纳米条宽度为5nm-5μm，纳米条阵列(2)的材料为具有光电响应能力的二维材料。

2.如权利要求1所述的一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器，其特征在于，不同种所述纳米条阵列(2)能够吸收的线偏振光的偏振角度不同。

3.如权利要求1所述的一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器，其特征在于，所述一种纳米条阵列(2)能且只能吸收一种偏振角度的线偏振光。

4.如权利要求1所述的一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器，其特征在于，所述基板(1)上设有0度线偏振吸收的纳米条阵列(2)、45度线偏振吸收的纳米条阵列(2)、90度线偏振吸收的纳米条阵列(2)和135度线偏振吸收的纳米条阵列(2)。

5.如权利要求1所述的一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器，其特征在于，所述纳米条阵列(2)的材料为钙钛矿、硫化钼、黑磷、氧化钼、硫化钯、二碲化钼或硫化铂。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板(1)制备纳米条阵列(2)；

S2、在基板(1)上制备金属电极(3)。

7.如权利要求6所述的一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器的制备方法，其特征在于，所述S1中纳米条阵列(2)采用电子束光刻法和化学气相沉积法制备、或采用导向外延生长法制备、或采用模板诱导法制备，或采用电子束光刻法和等离子体刻蚀法制备。