[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种显示基板的制备方法，包括在一衬底上制备阳极的步骤，其中所述阳极包括依次层叠于所述衬底上的第一电极层、金属层和第二电极层，其特征在于，所述第二电极层的制备方法包括以下步骤：

制备具有所述阳极图案的第一结晶化金属氧化物层的步骤，所述第一结晶化金属氧化物层位于所述阳极的金属层上；以及，

在所述第一结晶化金属氧化物层上制备具有所述阳极图案的第二结晶化金属氧化物层的步骤，其中所述第二结晶化金属氧化物层以以下方法制备：

在具有所述阳极图案的所述第一结晶化金属氧化物层上制备第二非晶化金属氧化物层的步骤;

利用所述第一结晶化金属氧化物层对与其接触的所述第二非晶化金属氧化物层进行诱导结晶、并对所述第二非晶化金属氧化物层进行退火处理，以使所述第二非晶化金属氧化物层的仅对应于所述第一结晶化金属氧化物层的部分结晶的步骤，其中所述退火温度为100℃-160℃；以及，

去除所述第二非晶化金属氧化物层的非晶化金属氧化物的部分并保留结晶化金属氧化物部分，获得具有所述阳极图案的第二晶化金属氧化物层的步骤。

2.如权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一结晶化金属氧化物层的制备方法包括以下步骤：

在所述衬底上制备第一非晶化金属氧化物层并图案化的步骤；以及，

对图案化的所述第一非晶化金属氧化物层进行结晶处理，以获得所述第一结晶化金属氧化物层的步骤。

3.如权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述第一非晶化金属氧化物层进行退火处理以获得所述第一结晶化金属氧化物层，所述退火温度为100℃-300℃。

4.如权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一结晶化金属氧化物层的厚度为10nm-40nm。

5.一种显示基板，包括一衬底和设置于所述衬底上的至少一阳极，所述阳极在远离所述衬底的方向上包括依次层叠的第一电极层、金属层和第二电极层，其特征在于，所述第二电极层包括层叠设置的多层结晶化金属氧化物层；

并且，所述第二电极层具有一预设厚度，所述预设厚度的范围为80nm-100 nm；

所述显示基板由权利要求1至4中任一项所述的显示基板的制备方法获得。

6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极层包括依次层叠于所述金属层上的第一结晶化金属氧化物层和第二结晶化金属氧化物层，其中所述第一结晶化金属氧化物层的厚度小于或等于所述第二结晶化金属氧化物层的厚度。

7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一结晶化金属氧化物层的厚度为10nm-40nm。

8.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第二结晶化金属氧化物层的厚度为40nm-100nm。

9.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极层的厚度为10nm-100nm。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求5-9中任一项所述的显示基板。