[发明专利]用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离(DTI)结构

权利要求书

1.一种用于CMOS图像传感器的像素结构，其包括：

半导体衬底，其具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；

光电二极管，其安置于所述半导体衬底中接近于所述第一侧，其中所述光电二极管累积响应于经引导穿过所述第二侧的入射光而在所述光电二极管中光生的图像电荷；及

深沟槽隔离结构，其围封所述半导体衬底中的半导体区域，所述半导体区域中安置有所述光电二极管，其中所述深沟槽隔离结构从所述第二侧朝向所述第一侧延伸，其中所述深沟槽隔离结构包含安置于所述深沟槽隔离结构朝向所述第一侧的第一端处的光吸收区域。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述深沟槽隔离结构进一步包含安置于所述光吸收区域与所述深沟槽隔离结构朝向所述第二侧的第二端之间的光反射区域。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其中所述光吸收区域是第一光吸收区域，其中所述深沟槽隔离结构进一步包含第二光吸收区域，其中所述第二光吸收区域安置于所述深沟槽隔离结构朝向所述第二侧的所述第二端处，且其中所述光反射区域安置于所述第一光吸收区域与所述第二光吸收区域之间。

4.根据权利要求2所述的像素结构，其中所述光反射区域包括选自由以下各项组成的群组的金属：铝、铜、银、铂、合金及其组合。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述光吸收区域包括选自由以下各项组成的群组的金属或金属化合物：钨、钛、氮化钛、铝、镍、合金及其组合。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述光吸收区域包括占所述深沟槽隔离结构在所述第一侧与所述第二侧之间的长度的从5％到15％的区域。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述光吸收区域具有到的纵深尺寸。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述深沟槽隔离结构的长度小于所述半导体衬底在所述第一侧与所述第二侧之间的厚度。

9.根据权利要求8所述的像素结构，其中所述深沟槽隔离结构朝向所述第一侧的第一端与所述第一侧之间的区域是由所述半导体衬底构成。

10.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述深沟槽隔离结构包含在每一横向侧上具有沟槽的四侧式结构，其中每一沟槽正交于所述第一侧及所述第二侧，且其中每一沟槽以直角与另两个沟槽交叉。

11.根据权利要求1所述的像素结构，其包括安置于所述半导体衬底的所述半导体区域中且由所述深沟槽隔离结构围封的单元深沟槽隔离结构；其中所述单元深沟槽隔离结构安置于所述光电二极管与所述第二侧之间，所述单元深沟槽隔离结构从所述第二侧延伸到所述半导体衬底中，其单元沟槽深度小于所述深沟槽隔离结构的每一沟槽的沟槽深度。

12.根据权利要求10所述的像素结构，其中所述光吸收区域包括宽度小于每一沟槽的宽度的一半以在每一沟槽中接近于所述光吸收区域的表面界定凹部的层。

13.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述深沟槽隔离结构包括挨着所述半导体衬底并置的介电层，且所述光吸收区域安置于所述介电层上。