[发明专利]集成芯片及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202011472785.4 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN113009623A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 宋巍巍;斯帝芬鲁苏;陈建宏;卓联洲;郭丰维 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02B6/122;G02B6/124;G02B6/13
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成 芯片 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种集成芯片,包括:

衬底;

绝缘体层,排列在所述衬底之上;

上部光学布线结构,排列在所述绝缘体层之上且包含半导体材料;

下部光学布线结构,排列在所述衬底下方且嵌置在下部介电结构中;以及

减反射层,排列在所述衬底下方且直接接触所述衬底。

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