[发明专利]用于调整电介质接合线材料的尺寸的工艺以及相关膜、物品及组合件

权利要求书

1.一种用于调整电介质膜段的尺寸的工艺，其包括：

在包括半导体裸片位置阵列的半导体衬底的有源表面上方施加电介质膜；及

将所述电介质膜图案化成段，每一段对应于各自相关的半导体裸片位置且通过切割道而与其它邻近电介质膜段分离，所述图案化包括将所述电介质膜段的至少一些外围部分从它们各自相关的半导体裸片位置的侧凹进，且配置所述电介质膜段的拐角与它们各自相关的半导体裸片位置的拐角重合。

2.根据权利要求1所述的工艺，其进一步包括使所述电介质膜段的所述至少一些外围部分以凹形形状凹进。

3.根据权利要求2所述的工艺，其进一步包括在从所述半导体衬底单切之后，将所述电介质膜段中的至少一些的所述至少一些外围部分凹进到对应于半导体裸片堆叠中的预期半导体裸片位置的不同程度的凹度。

4.根据权利要求3所述的工艺，其进一步包括：

将所述半导体裸片位置单切成半导体裸片，每一半导体裸片带有电介质膜段；及

以对应于半导体裸片堆叠中的每一半导体裸片的预期位置的次序拾取半导体裸片，电介质膜段中的所述至少一些外围部分配置有对应于所述半导体裸片堆叠中的所述预期半导体裸片位置的一定程度的凹度。

5.根据权利要求4所述的工艺，其进一步包括在堆叠每一经拾取半导体裸片之前反转每一经拾取半导体裸片，及根据每一经拾取半导体裸片在所述半导体裸片堆叠中的所述预期位置来堆叠每一经拾取半导体裸片。

6.根据权利要求1所述的工艺，其中施加所述电介质膜包括施加可光界定电介质膜，且使用无掩模对准器来实现对所述可光界定电介质膜进行图案化。

7.根据权利要求6所述的工艺，其中施加所述可光界定电介质膜包括层压预成形可光界定电介质膜及通过旋涂以半液体可流动状态分配可光界定电介质材料中的一者。

8.一种微电子组件组合件，其包括：

微电子组件，其具有位于其有源表面上方的电介质材料段，所述电介质材料具有与所述微电子组件的拐角重合的拐角，及以凹形配置从所述微电子组件的侧凹进所述电介质材料的至少两个相对侧。

9.根据权利要求8所述的微电子组件组合件，其中所述电介质材料段包括可光界定材料。

10.一种半导体裸片组合件，其包括：

半导体裸片，其具有在其有源表面上方的至少部分未固化的可光界定电介质材料，所述可光界定电介质材料具有相对于所述半导体裸片的外部外围凹入的外部外围；及

固态的另一电介质材料，其包围所述可光界定电介质材料的所述外部外围且具有接近并对准所述半导体裸片的所述外部外围的外部外围。

11.根据权利要求10所述的半导体裸片组合件，其进一步包括在所述未固化的可光界定材料中的孔，所述孔填充有固态的所述另一电介质材料。

12.一种微电子组件组合件，其包括：

至少两个微电子组件的堆叠，所述至少两个微电子组件通过导电元件而互连，所述导电元件在所述至少两个微电子组件中的每两个邻近微电子组件之间延伸；及

电介质接合线，其位于每两个邻近微电子组件之间，横向地包围所述导电元件且具有紧接并靠近两个相应邻近微电子组件的侧的外部边界，所述电介质接合线包括：

经固化的可光界定材料，其具有相对于所述两个相应邻近微电子组件的所述侧凹进的外部边界；及

固态的另一电介质材料，其接触且包围所述经固化的可光界定电介质材料。

13.根据权利要求12所述的微电子组件组合件，其进一步包括孔，所述孔在所述两个相应邻近微电子组件之间延伸穿过所述经固化的电介质材料且填充有固态的所述另一电介质材料。