[发明专利]发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202011474141.9 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112992987A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 孫石宇;白正善;金朝涓 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 王伟;李琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光显示装置,包括:
多个第一电极,所述多个第一电极在基板上彼此间隔开;
堤部,所述堤部被设置成与所述第一电极之间的区域和每个所述第一电极的边缘重叠;
堤部凹陷,所述堤部凹陷在所述第一电极之间的所述区域处被设置在所述堤部中;
有机层,所述有机层在所述第一电极和所述堤部上,所述有机层在所述堤部的上部与所述堤部凹陷之间不连续;以及
第二电极,所述第二电极在所述有机层上。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述堤部凹陷在两个相邻的子像素之间连续地延伸。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述堤部凹陷的宽度小于相邻子像素的所述第一电极之间的距离。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括硬掩模图案,所述硬掩模图案与所述堤部的所述上部邻接并且与所述堤部凹陷部分地重叠。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置,其中,所述有机层形成在所述硬掩模图案上,并且不形成在所述硬掩模图案和所述堤部凹陷彼此重叠的位置的所述堤部凹陷的侧壁处。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述有机层与设置于所述堤部凹陷的下部的有机层材料间隔开。
7.根据权利要求5所述的发光显示装置,其中,所述第二电极从在所述硬掩模图案上的所述有机层的上部到所述堤部凹陷的所述侧壁和所述堤部凹陷的下部连续地设置。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,与所述第一电极重叠的堤部边缘部分相对于所述基板的表面具有第一角度,
所述堤部凹陷的侧壁相对于所述基板的所述表面具有第二角度,并且
所述第二角度比所述第一角度更接近90度。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述堤部凹陷延伸通过所述堤部的中心部。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述堤部凹陷具有台阶,所述台阶具有从所述堤部的所述上部起的以上的深度。
11.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述堤部在所述堤部凹陷与所述基板之间具有第一高度。
12.根据权利要求11所述的发光显示装置,其中,当在俯视图中观看时,所述堤部包括:
设置在所述堤部凹陷周围的堤部主体部,堤部主体部具有大于所述第一高度的第二高度;以及
堤部重叠部,所述堤部重叠部连接到所述堤部主体部并且与所述第一电极重叠。
13.一种发光显示装置,包括:
多个第一电极,所述多个第一电极在基板上彼此间隔开;
堤部,所述堤部与所述第一电极之间的区域和每个所述第一电极的边缘重叠;
堤部凹陷,所述堤部凹陷在所述第一电极之间的所述区域处被设置在所述堤部中;
硬掩膜层图案,所述硬掩膜层图案与所述堤部凹陷部分地重叠并且与所述堤部的上部邻接;
有机层,所述有机层在所述第一电极和所述堤部上,所述有机层在所述硬掩膜层图案的上部和所述堤部凹陷之间不连续;以及
第二电极,所述第二电极在所述有机层上。
14.根据权利要求13所述的发光显示装置,其中,所述硬掩模层图案具有小于所述堤部凹陷的外部宽度的开口区域。
15.一种发光显示装置的制造方法,所述方法包括:
在基板上设置彼此间隔开的多个第一电极;
将堤部设置成与所述第一电极之间的区域和每个所述第一电极的边缘重叠;
在所述第一电极之间的所述区域处在所述堤部中设置堤部凹陷;
在所述第一电极和所述堤部上设置有机层,所述有机层在所述堤部的上部与所述堤部凹陷之间不连续;以及
在所述有机层上设置第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的