[发明专利]一种高效晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种高效晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

（1）硅片前处理：将洁净的硅片置于碳氮共渗炉中，抽真空后通入甲烷和氨气的混合气体，温度为800~1200℃，时间为30~240min，甲烷的流量为0.8~1.0m³/h，氨气的流量为0.5~0.75m³/h，碳势为0.9%~1.2%；

（2）制绒：待硅片冷却后使用制绒液在硅片表面制绒；

（3）扩散：通过磷扩散，在硅片表面形成P-N结；

（4）刻蚀：刻蚀硅片边缘；

（5）钝化：在硅片的背面生长一层AlOx薄膜，然后采用PECVD方式分别在硅片两面沉积SiN_x：H薄膜；

（6）丝网印刷：在硅片的正面印刷正电极，在硅片的背面印刷背电极和背电场；

（7）退火烧结：将硅片置于烧结炉中烧结。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）为将洁净的硅片置于碳氮共渗炉中，抽真空后通入甲烷和氨气的混合气体，温度为900℃，时间为180min，甲烷的流量为0.9m³/h，氨气的流量为0.6m³/h，碳势为1.0%。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）具体为：

在10~15℃下制绒，所述制绒液包括如下重量百分比的原料：

3%氢氧化钠、0.2%十二烷基苯磺酸钠、8%异丙醇，余量为水。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）具体为：

使用扩散炉对硅片进行高温磷扩散，采用三氯氧磷液态源扩散方法，利用氮气将三氯氧磷带入扩散炉中，在800~900℃内通源15~60min。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）为激光刻蚀或湿法刻蚀。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）具体为：

将硅片置于PECVD设备中，加热到400~500℃后通入氨气、硅烷和氮气，其中氮气为保护气体，氨气与硅烷的流量比为4~10：1，沉积功率为6500W，沉积时间为8~12min，在硅片正、背两面沉积SiN_x：H薄膜。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（6）具体为：

硅片背面激光开槽后，在硅片的正面印刷正电极，正电极为Ni/Cu/Ag电极，在硅片的背面印刷背电极和背电场，背电极为Ag电极，背电场为铝背电场，正电极、背电极和背电场印刷后分别在300~400℃下烘干。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（7）具体为：

将硅片置于烧结炉中烧结退火，烧结温度为600~900℃，烧结时间为15~30min。

9.一种高效晶体硅太阳能电池，所述太阳能电池采用如权利要求1~8任一项记载的制备方法生产得到。