[发明专利]一种真空蒸镀用基片辅助降温装置在审
申请号: | 202011474759.5 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112599446A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 熊继光;赵志国;秦校军;肖平;赵东明;邬俊波;董超;刘家梁;王百月;冯笑丹;梁思超;王森;张杰 | 申请(专利权)人: | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L51/56 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李鹏威 |
地址: | 100036 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 蒸镀用基片 辅助 降温 装置 | ||
本发明公开了一种真空蒸镀用基片辅助降温装置,包括设置在水冷基板和电池基片之间的降温系统,所述降温系统包括密闭设置的气囊和填充在气囊内部的可流动散热介质,所述降温系统与水冷基板的底面和电池基片贴合,在水冷降温的基础上,于降温组件和电池基片之间添加辅助降温的气囊,气囊同时与降温组件和电池基片形成紧密面接触,增加热传导效率,改善降温效果,避免电池膜层过热受损。
技术领域
本发明属于真空蒸镀领域,具体涉及一种真空蒸镀用基片辅助降温装置。
背景技术
近年来发现的钙钛矿型太阳能电池由于高转换效率、低成本、环境友善、产品可挠化等优点正在受到越来越广泛的关注。其中,新型钙钛矿性太阳能电池的光电转换效率在短短几年内提升了数倍,表现出非常优异的光电性能,而钙钛矿太阳能电池的制备过程中经常用到PVD(物理气相沉积)技术,其中尤其以真空蒸镀最为常用,蒸镀过程中往往伴随着长时间的高温,钙钛矿电池基板在蒸镀时会由于温度过高而损坏电池功能层,因此,基板的温度控制问题亟待解决。而传统的基片降温技术通常采用刚性的水冷降温方法,由于大组件基片置于蒸镀位置时会发生一定程度的弯曲,而刚性的降温装置不能保证水冷基板和电池基片的紧密接触,而且最重要的是,高真空环境缺乏传热介质,在无法形成紧密接触的情况下,基片降温效果差。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,本发明的目的是提供一种真空蒸镀用基片辅助降温装置,在水冷降温的基础上,于降温组件和电池基片之间添加辅助降温的气囊,气囊同时与降温组件和电池基片形成紧密面接触,增加热传导效率,改善降温效果,避免电池膜层过热受损。
为达上述目的,本发明采用的技术方案是,一种真空蒸镀用基片辅助降温装置,其特征在于,包括设置在水冷基板和电池基片之间的降温系统,所述降温系统包括密闭设置的气囊和填充在气囊内部的可流动散热介质,所述降温系统与水冷基板的底面和电池基片贴合。
进一步的,所述气囊的上表面能够完全贴合水冷基板的底面。
进一步的,所述气囊内设置有支撑装置,所述支撑装置竖向设置在气囊中,在使用过程中,所述支撑装置的顶部支撑在水冷板的下表面,所述支撑装置的底部支撑在电池基片的上表面。
进一步的,所述支撑装置为可伸缩立柱。
进一步的,所述支撑装置为弹簧。
进一步的,所述气囊为橡胶气囊。
进一步的,所述支撑装置均匀分布在所述气囊内,所述支撑装置的两端连接气囊上下两面。
进一步的,所述支撑装置在气囊内阵列分布。
进一步的,所述流动散热介质为散热硅脂,且气囊内部无任何气体残留。
进一步的,所述气囊的内部压力大于散热硅脂的饱和蒸汽压。
与现有技术相比,本发明至少具有以下有益效果,现有的降温装置只能使冷却基板和待降温组件形成点接触,无法形成大面积的面接触,在缺乏传热介质的高真空环境中,降温效果不理想,特别是在电池基片发生自然弯曲时,水冷基板与电池基片之间会出现点接触或者无接触的情况,严重影响电池基片的散热,本发明通过巧妙的在冷却基板和待降温组件之间添加辅助降温的气囊,内部填充散热硅脂,气囊内部有支撑装置用于保持气囊的基本形状,并使气囊更好贴合水冷基板和自然弯曲状态下的电池基片,形成有效面接触,提高降温效率,改善降温效果,避免电池膜层过热受损。
作为优化的,本发明的气囊内设置有支撑装置,在使用过程中,所述支撑装置的顶部支撑在水冷板的下表面,所述支撑装置的底部支撑在电池基片的上表面,在此结构设置下,即使电池基片发生的弯曲,支撑装置依旧能够做好支撑,保证水冷基板以及电池基片与支撑装置间的紧密贴合,进而确保了足够的降温效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造