[发明专利]一种三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料，其特征在于，所述三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料包括三氧化钨、作为载体的活性炭以及沉积在三氧化钨和活性炭表面的磷酸银；

所述的三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料的制备方法，包括以下步骤：

（1）将活性炭和三氧化钨超声分散于水溶液中，得到分散液；

（2）将硝酸银加入所述分散液中，在黑暗条件下进行搅拌处理，得到悬浮液；

（3）将Na₂HPO₄·12H₂O固体溶解后加入所述悬浮液中，机械搅拌、离心固液分离、洗涤、烘干，得到三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料。

2.一种如权利要求1所述的三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将活性炭和三氧化钨超声分散于水溶液中，得到分散液；

（2）将硝酸银加入所述分散液中，在黑暗条件下进行搅拌处理，得到悬浮液；

（3）将Na₂HPO₄·12H₂O固体溶解后加入所述悬浮液中，机械搅拌、离心固液分离、洗涤、烘干，得到三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料。

3.根据权利要求2所述的三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料的制备方法，其特征在于，所述三氧化钨、活性炭、硝酸银和Na₂HPO₄·12H₂O的质量比为1:0.3:3-4:2-3。

4.根据权利要求2所述的三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料的制备方法，其特征在于，所述硝酸银与Na₂HPO₄·12H₂O在反应体系中生成磷酸银，三氧化钨、活性炭、磷酸银的质量比为1:0.3:3。

5.根据权利要求2所述的三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中超声分散时间为0.5-1 h；所述步骤（2）中黑暗条件下搅拌处理的时间为10-15 h；所述步骤（3）中机械搅拌处理的时间为1-2 h。

6.根据权利要求2所述的三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中洗涤为水洗、醇洗，洗涤后再在50-80℃下烘干，即可得到三氧化钨/碳/磷酸银复合半导体光催化材料。

7.根据权利要求2所述的三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的三氧化钨由以下步骤制备得到：

将Na₂WO₄·2H₂O溶液加入硝酸溶液中，经搅拌混合、离心分离后得到沉淀物，将沉淀物进行洗涤、烘干、煅烧，得到三氧化钨。

8.根据权利要求7所述的三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的三氧化钨由以下步骤制备得到：取Na₂WO₄·2H₂O粉末，按照质体比为1 g:10-15 mL加入水溶解后，再将其逐滴加到浓度为5 mol/L 硝酸溶液中，所述Na₂WO₄·2H₂O粉末与硝酸的质量比为2-4:1，机械搅拌30-60 min后离心，经水洗、醇洗后，再在80-100℃下烘干，研磨，之后在400-500℃的马弗炉下煅烧2-3 h，得到三氧化钨。