[发明专利]存储单元的故障定位分析方法、装置、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种存储单元的故障定位分析方法、装置、存储介质和终端，通过使用Magnum II测试系统的错误捕获内存和算法生成器代替传统的烧录器和chroma测试机，用错误捕获内存记录失效地址的行和列，然后用算法生成器产生pattern去做分析；本技术方案不但能定位失效的存储单元，还能对存储单元进行故障原因分析；可通过算法生成器自动产生pattern做分析，通用性好。

技术领域

本发明涉及非易失存储器技术领域，尤其涉及的是一种存储单元的故障定位分析方法、装置、存储介质和终端。

背景技术

随着半导体技术和工艺的发展，Nor flash 的容量也越做越大；以128M为例,128M=128*1024*1024个Bit，如果其中一个Bit出错，虽然相对于128*1024*1024来说，单个Bit比例很小，但是这颗芯片还是要报废，所以对于失效Bit的定位和分析就非常重要了。

传统的做法是：

1.用烧录器读写数据，然后定位失效Bit地址；

2.根据失效地址修改chroma（自动测试设备）测试pattern（即需要测试芯片的时序特征）；

3.在测试仪器上确认失效地址读写时间是否有异常，失效bit VT（阈值电压）等信息。

上述这种做法的不足如下：

1.烧录器只能定位失效bit,不能做进一步的分析；

2.由于每颗芯片失效Bit是随机的，chroma每次分析都需要修改pattern，通用性差。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储单元的故障定位分析方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的存储单元故障定位方法只能定位失效存储单元，不能对存储单元进行分析，以及通用性差的问题。

本发明的技术方案如下：一种存储单元的故障定位分析方法，其中，整个过程在Magnum II测试系统里面完成，具体包括以下步骤：

在算法生成器里面构建一个与Nor flash的存储单元一致的第一模型，所述第一模型包括X地址和Y地址；

在错误捕获内存里面构建一个与Nor flash的存储单元一致的第二模型，所述第二模型包括行地址和列地址，所述第一模型的X地址和Y地址分别与第二模型行地址和列地址一一对应，而第二模型行地址和列地址分别与Nor flash的字线和位线一一对应；

生成存储单元阵列的多种的故障模型激励；

将故障模型激励逐一发送至第二模型和参考模型；

将第二模型根据故障模型激励作出的操作结果与参考模型根据故障模型激励作出的期望进行比对，若作出的操作结果符合期望，则结束故障定位分析，

若作出的操作结果不符合期望，则通过第二模型内存储单元与Nor flash的存储单元的地址对应关系，找到Nor flash中出现故障的存储单元的地址并进行记录；通过第二模型内存储单元与第一模型内存储单元的对应关系，找到第一模型内出现故障的存储单元的地址并进行故障原因分析，然后结束故障定位分析。

所述的存储单元的故障定位分析方法，其中，所述故障模型激励包括需要写入数据的存储单元地址、需要写入的数据以及需要的时钟波形。

所述的存储单元的故障定位分析方法，其中，所述故障原因分析包括对存储单元的阈值电压的分析。

所述的存储单元的故障定位分析方法，其中，所述第二模型根据故障模型激励作出的操作结果，具体过程如下：