[发明专利]一种抗电子辐射多层结构屏蔽材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011475474.3 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112599271A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 马书旺;韩修柱;吕政;周傲松;王健;杨志民;杨剑;毛昌辉 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G21F1/08 | 分类号： | G21F1/08;G21F1/12;B64G1/54 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 范威 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 辐射 多层 结构 屏蔽 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种抗电子辐射多层结构屏蔽材料，其特征在于，所述屏蔽材料包括金属钽层、金属镁层，所述金属钽层和金属镁层之间设有金属过渡层。
2.根据权利要求1所述的屏蔽材料，其特征在于，所述金属过渡层为金属Ti层、Cu层、Al层中的两种或两种以上。
3.一种如权利要求1或2所述的抗电子辐射多层结构屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将金属钽、镁表面采用砂纸打磨、酒精超声波清洗后烘干；
(2)将经步骤(1)得到的金属钽表面按热扩散温度由高到低顺序，依次采用热扩散焊制备金属Ti层、Cu层、Al层中的两种或两种以上；
(3)将经步骤(2)得到的表面带有金属过渡层的钽与经步骤(1)得到的金属镁进行热扩散焊连接，得到多层结构屏蔽材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，热扩散焊方法为热压或者热等静压。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，焊接Ti层的热扩散温度为900℃～1200℃，焊接Cu层的热扩散温度为600℃～800℃，焊接Al层的热扩散温度为450℃～550℃。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中热扩散焊：焊接气氛为惰性气体或真空，焊接过程采用的热压压力均为1MPa，保压时间均为3h。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，热扩散焊方法为热等静压，温度为400℃～440℃，热等静压压力为100MPa，保温保压3h。
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